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    SS5-80-3.50-L-D-K-TR2N7002ET1G、2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F 的区别

    SS5-80-3.50-L-D-K-TR

    制造商:Samtec

    最优价格:¥39.71900

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    ECCN编码
    特性拾放---
    触头镀层---
    触头镀层厚度0.25µm---
    连接器类型插口,外罩触点---
    针脚数160Pin---
    脚间距0.50mm---
    封装/外壳SMD,P=0.5mmSOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型立贴SMTSMTSMT
    包装带卷(TR) Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    排数双排---
    接合堆叠高度4.5mm,5.5mm,6mm---
    高度3.35mm1.11mm1.15mm1.10mm
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    系列RazorBeam™SS5-Automotive,AEC-Q101-
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求Yes-Yes
    制造商标准提前期3 周26 周-12 周
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    连续漏极电流-260mA170mA250mA
    栅极电荷(Qg)-0.81nC0.233nC-
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    配置-单路--
    品牌-ONDIODESDIODES
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    击穿电压-60V60V-
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    反向传输电容Crss-2.9pF--
    输入电容-26.7pF50pF50pF@25V
    充电电量-0.81nC--
    功率耗散-300mW370mW370mW
    存储温度--55℃~+150℃--
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    额定功率-300mW370mW370mW
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    认证信息-RoHS--
    原始制造商-ON SemiconductorDiodes Incorporated-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5,10V4.5V,10V
    元件生命周期-ActiveActive-
    原产国家-AmericaAmerica-
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