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    SS5-80-3.50-L-D-K-TR2V7002LT1G、2N7002-TP、2N7002ET1G 的区别

    SS5-80-3.50-L-D-K-TR

    制造商:Samtec

    最优价格:¥39.71900

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30849

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    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

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    ECCN编码
    安装类型立贴SMTSMTSMT
    包装带卷(TR) Tape/reelTape/reelTape/reel
    排数双排---
    接合堆叠高度4.5mm,5.5mm,6mm---
    特性拾放---
    触头镀层---
    触头镀层厚度0.25µm---
    连接器类型插口,外罩触点---
    针脚数160Pin---
    脚间距0.50mm---
    封装/外壳SMD,P=0.5mmSOT-23SOT-23SOT-23
    高度3.35mm1.11mm1.12mm1.11mm
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    系列RazorBeam™SS5Automotive,AEC-Q101--
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    制造商标准提前期3 周26 周8 周26 周
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V-±20V
    漏极电流-115mA--
    栅极电荷(Qg)---0.81nC
    配置-单路单路单路
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    连续漏极电流-115mA115mA260mA
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial ComponentsON Semiconductor
    认证信息-RoHS-RoHS
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    额定功率-225mW200mW300mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-7.5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA2.5Ω@10V,240mA
    品牌-ONMCCON
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容-50pF@25V50pF@25V26.7pF
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5V,10V5V,10V4.5V,10V
    栅极源极击穿电压-±20V-±20V
    击穿电压-60V-60V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    反向传输电容Crss-5pF5pF@25V2.9pF
    功率耗散-225mW200mW300mW
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    印字代码-702 M= =--
    元件生命周期--ActiveActive
    充电电量---0.81nC
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