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SUP85N10-10-GE3 与
26M 10PF 10PPM、7V26000001 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：SST(索斯特) 最优价格：￥0.19800 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TXC 最优价格：￥0.48071 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | SOT78 | HC-49S-SMD-2P-MiNi | SMD3225_4P | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | - | -20℃~+75℃ | |
| Vgs(Max) | ±20V | - | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - | - | |
| 连续漏极电流 | 85A | - | - | |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | |
| 阈值电压 | 3V@250µA | - | - | |
| 安装类型 | 插件 | SMT | SMT | |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | - | - | |
| 长x宽/尺寸 | 10.28 x 4.45mm | 7.00 x 4.00mm | 3.20 x 2.50mm | |
| 是否无铅 | Yes | - | Yes | |
| 高度 | 15.17mm | 2.30mm | 0.80mm | |
| 极性 | N-沟道 | - | - | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | |
| 系列 | TrenchFET® | - | - | |
| 功率耗散 | 3.75W,250W | - | - | |
| 零件状态 | Active | - | - | |
| 制造商标准提前期 | 19 周 | - | - | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | - | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 10.5mΩ@10V,30A | - | - | |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | |
| 输入电容 | 6.55nF | - | - | |
| 额定功率 | 250W | - | - | |
| 引脚数 | 3Pin | 2Pin | 4Pin | |
| 频率误差 | - | ±10ppm | ±10ppm | |
| 主频频率 | - | 26MHz | 26MHz | |
| 负载电容 | - | 10pF | 10pF | |
| 等效串联电阻 | - | 40Ω | 40Ω | |
| 年老化率 | - | - | ±3ppm/year | |
| 绝缘电阻 | - | - | 500MΩ @ DC100V | |
| 频率稳定性 | - | - | ±10ppm | |
| 材质 | - | - | Quartz Crystal | |
| 产品状态 | - | - | Active | |
| 元件生命周期 | - | - | Active | |
| 存储温度 | - | - | -40℃~+85℃ | |
| 应用领域 | - | - | Consumer | |
| 激励功率 | - | - | 100μW | |
| 原产国家 | - | - | China Taiwan | |
| 切型 | - | - | AT Cut | |
| 原始制造商 | - | - | TXC Corporation | |
| 谐振模式 | - | - | Fundamental | |
| 静电容 | - | - | 1.5pF | |
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