MMBT5551LT1G 与
MMBT5551LT3G、MMBT5551-TP 的区别
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ECCN编码 | ||||
跃迁频率 | - | - | 100MHz | |
DC电流增益(hFE) | 250 | 80~250 | 100 | |
集射极击穿电压Vce(Max) | 160V | 160V | 160V | |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
Vce饱和压降 | 200mV | 200mV | 500mV | |
晶体管类型 | NPN | NPN | NPN | |
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
配置 | 单路 | 单路 | - | |
封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
原产国家 | America | America | America | |
系列 | - | - | Original | |
原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor | Micro Commercial Components | |
高度 | 1.11mm | 1.11mm | 1.00mm | |
集电极截止电流 (Icbo) | 100nA | 100nA | 50nA(ICBO) | |
最小包装 | 3000pcs | 10000pcs | 3000pcs | |
额定功率 | 225mW | 225mW | 300mW | |
零件状态 | Active | Active | Active | |
引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | |
脚间距 | 1.9mm | - | - | |
存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - | |
功率耗散 | 225mW | 225mW | 300mW | |
发射极与基极之间电压 VEBO | 6V | 6V | - | |
集电极-发射极电压 VCEO | 160V | 160V | 160V | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | |
集电极-基极电压(VCBO) | 180V | 180V | - | |
集电极电流 Ic | 600mA | 600mA | 600mA | |
是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
品牌 | ON | ON | MCC | |
元件生命周期 | Active | - | Active | |
极性 | NPN | NPN | NPN | |
制造商标准提前期 | 12 周 | 12 周 | 8 周 | |
印字代码 | G1 | G1 | - | |
特征频率(fT) | - | - | 100MHz | |
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