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    MMBT5551LT1GMMBT5551LT3G、MMBT5551-TP 的区别

    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    ECCN编码
    跃迁频率--100MHz
    DC电流增益(hFE)25080~250100
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V
    安装类型SMTSMTSMT
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    Vce饱和压降200mV200mV500mV
    晶体管类型NPNNPNNPN
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    配置单路单路-
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    原产国家AmericaAmericaAmerica
    系列--Original
    原始制造商ON Semiconductor Inc.ON SemiconductorMicro Commercial Components
    高度1.11mm1.11mm1.00mm
    集电极截止电流 (Icbo)100nA100nA50nA(ICBO)
    最小包装3000pcs10000pcs3000pcs
    额定功率225mW225mW300mW
    零件状态ActiveActiveActive
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    脚间距1.9mm--
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    功率耗散225mW225mW300mW
    发射极与基极之间电压 VEBO6V6V-
    集电极-发射极电压 VCEO160V160V160V
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    集电极-基极电压(VCBO)180V180V-
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA
    是否无铅YesYesYes
    品牌ONONMCC
    元件生命周期Active-Active
    极性NPNNPNNPN
    制造商标准提前期12 周12 周8 周
    印字代码G1G1-
    特征频率(fT)--100MHz
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