制造商:Vishay 最优价格:¥2.63542 查看详情 查看数据资料 | 制造商:Walsin 最优价格:¥0.00667 查看详情 查看数据资料 | 制造商:FH 最优价格:¥0.00807 查看详情 查看数据资料 | 制造商:Samsung 最优价格:¥0.00944 查看详情 查看数据资料 | |
ECCN编码 | ||||
阈值电压 | 4V@250µA | - | - | - |
FET功能 | - | - | - | - |
封装/外壳 | SOT78 | 0603 | 0603 | 0603 |
工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
漏源电压(Vdss) | 100V | - | - | - |
安装类型 | 插件 | SMT | SMT | SMT |
连续漏极电流 | 4A | - | - | - |
栅极电荷(Qg) | 8.7nC | - | - | - |
晶体管类型 | P沟道 | - | - | - |
包装 | 管件 | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
制造商标准提前期 | 12 周 | - | - | - |
额定功率 | 43W | - | - | - |
功率耗散 | 43W | - | - | - |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@2.4A,10V | - | - | - |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | - |
输入电容 | 200pF@25V | - | - | - |
技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | - | 1(无限) |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2欧姆@2.4A,10V | - | - | - |
系列 | - | General Purpose | General | CL |
零件状态 | 在售 | Active | Active | Active |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | - | - |
类型 | 1个P沟道 | - | - | - |
容值 | - | 10nF | 10nF | 10nF |
脚间距 | - | 1.20mm | - | 1.30mm |
等级 | - | 消费级 | - | 通用级 |
特性 | - | - | Original | - |
长x宽/尺寸 | - | 1.60 x 0.80mm | 1.60 x 0.80mm | 1.60 x 0.80mm |
额定电压 | - | 50V | 50V | 50V |
精度 | - | ±10% | ±10% | ±10% |
元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
温度系数Tf | - | ±15% | - | - |
卷盘尺寸 | - | Φ180mm | Φ180mm | - |
电介质 | - | X7R | X7R | X7R |
最小包装 | - | 4000pcs | 4000pcs | 4000pcs |
引脚数 | - | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
存储温度 | - | -55℃~+125℃ | - | - |
品牌 | - | Walsin | FH | Samsung |
高度 | - | 0.80mm | 0.80mm | 0.80mm |
认证信息 | - | RoHS | RoHS | - |
原产国家 | - | China Taiwan | China | Korea |
原始制造商 | - | Walsin Technology Corporation | Guangdong Fenghua Advanced Technology Holding Co.,Ltd. | Samsung Electro-Mechanics |
应用领域 | - | - | Consumer | General Purpose |
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