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GRM188C81C106MA73DMBR0530T1G、B0520LW-7-F、B0530WS-7-F 的区别

GRM188C81C106MA73D

制造商:Murata

最优价格:¥0.23642

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MBR0530T1G

制造商:ON

最优价格:¥0.28840

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B0520LW-7-F

制造商:DIODES

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B0530WS-7-F

制造商:DIODES

最优价格:¥0.12305

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ECCN编码
额定电压16V---
工作温度-55℃~+105℃-65℃~+125℃-65℃~+125℃(TJ)-40℃~+125℃(TJ)
等级----
安装类型SMTSMTSMTSMT
封装/外壳0603SOD-123SOD-123SOD-323(SC-76)
长x宽/尺寸1.60 x 0.80mm2.84 x 1.80mm2.85 x 1.70mm1.80 x 1.40mm
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
包装Tape/ReelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
容值10µF---
精度±20%---
高度0.80mm1.35mm1.35mm1.10mm
电介质X6S---
品牌MuRataOnsemiDIODESDIODES
引脚数2Pin2Pin2Pin2Pin
是否无铅YesYesYesNo
系列GRM---
零件状态ActiveActiveActiveActive
二极管配置-单路单路单路
工作温度-结--65°C~125°C-65°C~125°C-40°C~125°C
反向峰值电压(最大值)-30V20V30V
二极管类型-肖特基肖特基肖特基
反向耐压VR-30V20V30V
正向压降VF-430mV385mV450mV
反向恢复时间(trr)----
速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)
平均整流电流-500mA500mA500mA
反向漏电流IR-130µA8mA500µA
存储温度--65~+150℃-65~+125℃-40~+125℃
Ifsm - 正向浪涌峰值电流-5.5A5.5A2A
正向压降VF Max-430mV385mV450mV
应用-通用通用通用
制造商标准提前期-20 周--
原产国家-AmericaAmericaAmerica
原始制造商-ON SemiconductorDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
功率耗散(最大值)--410mW235mW
反向击穿电压--20V30V
总电容C--170pF58pF
认证信息--RoHS, AEC-Q101RoHS, AEC-Q101
元件生命周期--ActiveActive
脚间距--3.37mm2.2mm
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