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RN214-3-02-2M0 与
SI4488DY-T1-E3、STS5N15F4 的区别
制造商：Schaffner 最优价格：￥ 查看详情 | 制造商：Vishay 最优价格：￥2.48600 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.47828 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | 插件 | SMT | SMT | |
| 长x宽/尺寸 | 23.00 x 15.50mm | - | - | |
| 封装/外壳 | FILTER-4P_23X15.5MM_TM | SOT96-1 | SOT96-1 | |
| 滤波器类型 | 电源线 | - | - | |
| 线路数 | 2 | - | - | |
| 不同频率时的阻抗 | - | - | - | |
| 额定电流 | 3A | - | - | |
| 直流电阻(DCR) | 52mΩ | - | - | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 特性 | - | - | - | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 高度 | 25.30mm | - | - | |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 15 周 | 7 周 | |
| 引脚数 | 4Pin | - | - | |
| 电感@频率 | 2mH@10KHz | - | - | |
| 额定电压-DC | - | - | - | |
| 额定电压-AC | 300V | - | - | |
| 等级 | - | - | - | |
| 认可 | ENEC，UR，VDE | - | - | |
| Vgs(Max) | - | ±20V | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | 150V | 150V | |
| 连续漏极电流 | - | 3.5A | 5A | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 36nC | - | |
| 阈值电压 | - | 2V@250µA（最小） | 4V@250µA | |
| 包装 | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 功率耗散 | - | 1.56W | 2.5W | |
| 系列 | - | TrenchFET® | DeepGATE™,STripFET™ | |
| 零件状态 | - | Active | Active | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | - | |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | |
| 额定功率 | - | 1.56W | 2.5W | |
| 输入电容 | - | - | 2.71nF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 50mΩ@10V,5A | 63mΩ@2.5A,10V | |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
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