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2N7002 7002 与
2N7002E-7-F、2V7002LT1G、2N7002-TP 的区别
制造商：JSCJ 最优价格：￥0.05240 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.15360 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.30849 查看详情 查看数据资料 | 制造商：MCC 最优价格：￥0.05610 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 3.00 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm |
| 高度 | 0.98mm | 1.10mm | 1.11mm | 1.12mm |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 漏源电压(Vdss) | - | 60V | 60V | 60V |
| 包装 | - | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | Tape/reel |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | SMT |
| 阈值电压 | - | 2.5V@250µA | 2.5V@250µA | 2.5V |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 连续漏极电流 | - | 250mA | 115mA | 115mA |
| 品牌 | - | DIODES | ON | MCC |
| 功率耗散 | - | 370mW | 225mW | 200mW |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | - | 3欧姆@250mA，10V | 7.5欧姆@500mA，10V | 7.5欧姆@500mA，10V |
| 额定功率 | - | 370mW | 225mW | 200mW |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 3Ω@10V,250mA | 7.5Ω@10V,500mA | 1.2Ω@10V,500mA |
| 输入电容 | - | 50pF@25V | 50pF@25V | 50pF@25V |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 系列 | - | - | Automotive,AEC-Q101 | - |
| 零件状态 | - | 在售 | Active | Active |
| 制造商标准提前期 | - | 12 周 | 26 周 | 8 周 |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 5V，10V | 5V，10V |
| 是否无铅 | - | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes |
| 漏极电流 | - | - | 115mA | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
| 配置 | - | - | 单路 | 单路 |
| 印字代码 | - | - | 702 M= = | - |
| 原始制造商 | - | - | ON Semiconductor | Micro Commercial Components |
| 认证信息 | - | - | RoHS | - |
| 原产国家 | - | - | America | America |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±20V | - |
| 击穿电压 | - | - | 60V | - |
| 反向传输电容Crss | - | - | 5pF | 5pF@25V |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | - |
| 最小包装 | - | - | 3000pcs | 3000pcs |
| 元件生命周期 | - | - | - | Active |
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