尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    2N7002 70022N7002-TP、2N7002ET1G、2N7002Q-7-F 的区别

    2N7002 7002

    制造商:JSCJ

    最优价格:¥0.05450

    查看详情

    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

    查看详情 查看数据资料

    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

    查看详情 查看数据资料

    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    连续漏极电流115mA115mA260mA170mA
    阈值电压2.5V@250μA2.5V2.5V@250µA2.5V
    漏源电压(Vdss)60V60V60V60V
    工作温度-50℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    应用等级Industrial---
    存储温度-50℃~+150℃--55℃~+150℃-
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    原产国家ChinaAmericaAmericaAmerica
    原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., LtdMicro Commercial ComponentsON SemiconductorDiodes Incorporated
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容50pF50pF@25V26.7pF50pF
    应用Consumer, Industrial,---
    长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度1.15mm1.12mm1.11mm1.15mm
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V
    功率耗散225mW200mW300mW370mW
    额定功率200mW200mW300mW370mW
    击穿电压60V-60V60V
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    是否无铅YesYesYes-
    FET功能----
    栅极电荷(Qg)--0.81nC0.233nC
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    配置-单路单路-
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    反向传输电容Crss-5pF@25V2.9pF-
    系列---Automotive,AEC-Q101
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5V,10V4.5V,10V5,10V
    品牌-MCCONDIODES
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    制造商标准提前期-8 周26 周-
    Vgs(Max)--±20V±20V
    充电电量--0.81nC-
    认证信息--RoHS-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照