尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    2N7002 70022N7002ET1G、2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F 的区别

    2N7002 7002

    制造商:JSCJ

    最优价格:¥0.05450

    查看详情

    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

    查看详情 查看数据资料

    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

    查看详情 查看数据资料

    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    连续漏极电流115mA260mA170mA250mA
    阈值电压2.5V@250μA2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    漏源电压(Vdss)60V60V60V60V
    工作温度-50℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容50pF26.7pF50pF50pF@25V
    应用Consumer, Industrial,---
    长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
    高度1.15mm1.11mm1.15mm1.10mm
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA
    功率耗散225mW300mW370mW370mW
    额定功率200mW300mW370mW370mW
    击穿电压60V60V60V-
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    是否无铅YesYes-Yes
    应用等级Industrial---
    存储温度-50℃~+150℃-55℃~+150℃--
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    原产国家ChinaAmericaAmerica-
    原始制造商Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., LtdON SemiconductorDiodes Incorporated-
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    栅极电荷(Qg)-0.81nC0.233nC-
    配置-单路--
    包装-Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    充电电量-0.81nC--
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    系列--Automotive,AEC-Q101-
    认证信息-RoHS--
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5,10V4.5V,10V
    品牌-ONDIODESDIODES
    制造商标准提前期-26 周-12 周
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    反向传输电容Crss-2.9pF--
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照