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ECCN编码 | ||||
包装 | Tape/reel | - | - | - |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
漏源电压(Vdss) | 60V | - | - | - |
阈值电压 | 4V@250µA | - | - | - |
栅极电荷(Qg) | 42nC | - | - | - |
FET功能 | - | - | - | - |
封装/外壳 | PowerFlat™8 | TO236-3 | TO236-3 | SOT-23 |
工作温度 | -55℃~+175℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+125℃ |
连续漏极电流 | 130A | - | - | - |
晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
零件状态 | Active | - | - | - |
输入电容 | 2.6nF@25V | - | - | - |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | - | - |
品牌 | ST | Diodes | Diodes | TI |
极性 | N-沟道 | - | - | - |
制造商标准提前期 | 22 周 | - | - | - |
功率耗散 | 125W | - | - | - |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5毫欧@13A,10V | - | - | - |
长x宽/尺寸 | 6.15 x 5.20mm | - | - | 2.92 x 1.30mm |
最小包装 | 3000pcs | - | - | 3000pcs |
元件生命周期 | Active | - | - | - |
原始制造商 | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Texas Instruments Incorporated |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
原产国家 | Switzerland | - | - | America |
栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
引脚数 | 8Pin | - | - | 3Pin |
技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
高度 | 1.00mm | - | - | 1.12mm |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | - | - |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@13A,10V | - | - | - |
额定功率 | 4.8W,125W | - | - | - |
系列 | STripFET™F7 | - | - | - |
类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
精度 | - | ±0.5% | ±0.5% | ±1% |
输出电压 | - | 2.495V | 2.495V | 2.495V |
输出类型 | - | Adjustable | Adjustable | Adjustable |
温度系数(温漂) | - | - | - | - |
阴极电流 | - | 700μA | 700μA | 700μA |
输出电流 | - | 100mA | 100mA | 100mA |
工作电流 | - | - | - | - |
初始精度(误差) | - | ±0.5% | ±0.5% | ±1% |
参考源类型 | - | Shunt | Shunt | Shunt |
容差 | - | ±0.5% | ±0.5% | ±1% |
输入电压 | - | - | - | - |
脚间距 | - | - | - | 1.9mm |
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