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STL130N6F7 与
DMP1045U-7、DMP3130L-7、DMP3099L-7 的区别
制造商：ST 最优价格：￥1.96560 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.28500 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.37968 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.17500 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | PowerFLAT-8 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| Vgs(Max) | ±20V | ±8V | ±12V | ±20V |
| 连续漏极电流 | 130A | 4A | 3A | 3.8A |
| 晶体管类型 | N沟道 | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 阈值电压 | 4V@250µA | 1V | 1.3V | 2.1V |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 12V | 30V | 30V |
| 栅极电荷(Qg) | 42nC | 15.8nC | 24nC | 5.2nC |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 原始制造商 | STMicroelectronics | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 原产国家 | Switzerland | America | America | America |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±8V | ±12V | ±20V |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 引脚数 | 8Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 高度 | 1.00mm | 1.00mm | 1.03mm | 1.00mm |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@13A,10V | 31mΩ@4.5V,4A | 77mΩ@10V,4.2A | 65mΩ@10V,3.8A |
| 额定功率 | 4.8W,125W | 800mW | 700mW | 1.08W |
| 系列 | STripFET™F7 | - | - | - |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 输入电容 | 2.6nF@25V | 1.357nF | 864pF | 563pF |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | 2.5V，10V | 4.5V，10V |
| 品牌 | ST | DIODES | DIODES | DIODES |
| 制造商标准提前期 | 22 周 | 8 周 | 8 周 | 8 周 |
| 极性 | N-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 功率耗散 | 125W | 800mW | 700mW | 1.08W |
| 长x宽/尺寸 | 6.15 x 5.20mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | Active |
| 漏极电流 | - | 4A | 3.5A | 3.8A |
| 充电电量 | - | 15.8nC | 24nC | 5.2nC |
| 反向传输电容Crss | - | 235pF | 62pF | 41pF |
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