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    STL130N6F7DMP3099L-7、DMP3030SN-7、NTR4502PT1G 的区别

    STL130N6F7

    制造商:ST

    最优价格:¥1.96560

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    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17500

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.28600

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    阈值电压4V@250µA2.1V3V@1mA3V@250µA
    漏源电压(Vdss)60V30V30V30V
    栅极电荷(Qg)42nC5.2nC--
    FET功能----
    封装/外壳PowerFLAT-8SOT-23SC59SOT-23
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)±20V±20V±20V±20V
    连续漏极电流130A3.8A700mA1.13A
    晶体管类型N沟道P沟道P沟道P沟道
    输入电容2.6nF@25V563pF160pF@10V200pF@15V
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    品牌STDIODESDIODESON
    制造商标准提前期22 周8 周8 周20 周
    极性N-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    功率耗散125W1.08W500mW400mW
    长x宽/尺寸6.15 x 5.20mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm
    元件生命周期ActiveActive-Active
    是否无铅YesYesYesYes
    原始制造商STMicroelectronicsDiodes IncorporatedDiodes IncorporatedON Semiconductor Inc.
    原产国家SwitzerlandAmerica-America
    栅极源极击穿电压±20V±20V±20V±20V
    引脚数8Pin3Pin-3Pin
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    高度1.00mm1.00mm1.40mm1.00mm
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.5mΩ@13A,10V65mΩ@10V,3.8A250mΩ@10V,400mA200mΩ@10V,1.95A
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    额定功率4.8W,125W1.08W500mW400mW
    类型1个N沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    系列STripFET™F7---
    漏极电流-3.8A-1.13A
    反向传输电容Crss-41pF-50pF
    充电电量-5.2nC-6nC
    配置--单路单路
    印字代码---TR2 M= =
    认证信息---RoHS
    击穿电压---30V
    存储温度----55℃~+150℃
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