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    ZXMN6A07ZTARJP020N06T100、RHP020N06T100 的区别

    ZXMN6A07ZTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.73792

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    RJP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥1.33389

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    RHP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.70060

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    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)60V60V60V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMT
    阈值电压3V@250µA1.5V2.5V
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道
    FET功能---
    封装/外壳SOT89-3SOT89-3SOT89-3
    工作温度-+150℃+150℃
    Vgs(Max)±20V±12V±20V
    配置单路单路单路
    连续漏极电流2.5A2A2A
    系列---
    额定功率1.5W500mW500mW
    零件状态ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V
    极性N-沟道N-沟道N-沟道
    品牌DIODESRohmRohm
    元件生命周期ActiveActive-
    功率耗散1.5W500mW500mW
    原始制造商Diodes IncorporatedRohm Co.,Ltd.Rohm Co.,Ltd.
    制造商标准提前期10 周10 周10 周
    原产国家AmericaJapanJapan
    最小包装1000pcs1000pcs1000pcs
    输入电容166pF160pF140pF
    击穿电压60V--
    高度1.60mm-1.50mm
    引脚数3Pin--
    长x宽/尺寸4.60 x 2.60mm2.90 x 1.60mm4.50 x 2.50mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    栅极源极击穿电压±20V±12V±20V
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,1.8A165mΩ@4.5V,2A200mΩ@10V,2A
    是否无铅YesYesYes
    充电电量-10nC14nC
    反向传输电容Crss-45pF@10V-
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