尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    RJP020N06T100RHP020N06T100、ZXMN6A07ZTA 的区别

    RJP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥1.33389

    查看详情 查看数据资料

    RHP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.70060

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN6A07ZTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.73792

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)60V60V60V
    FET功能---
    配置单路单路单路
    封装/外壳SOT89-3SOT89-3SOT89-3
    工作温度+150℃+150℃-
    Vgs(Max)±12V±20V±20V
    连续漏极电流2A2A2.5A
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMT
    阈值电压1.5V2.5V3V@250µA
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道
    输入电容160pF140pF166pF
    极性N-沟道N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm4.50 x 2.50mm4.60 x 2.60mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    最小包装1000pcs1000pcs1000pcs
    元件生命周期Active-Active
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    原始制造商Rohm Co.,Ltd.Rohm Co.,Ltd.Diodes Incorporated
    品牌RohmRohmDIODES
    原产国家JapanJapanAmerica
    制造商标准提前期10 周10 周10 周
    系列---
    是否无铅YesYesYes
    零件状态ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    功率耗散500mW500mW1.5W
    额定功率500mW500mW1.5W
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@4.5V,2A200mΩ@10V,2A250mΩ@10V,1.8A
    充电电量10nC14nC-
    反向传输电容Crss45pF@10V--
    栅极源极击穿电压±12V±20V±20V
    高度-1.50mm1.60mm
    击穿电压--60V
    引脚数--3Pin
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照