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    RHP020N06T100ZXMN6A07ZTA、RJP020N06T100 的区别

    RHP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.70060

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    ZXMN6A07ZTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.73792

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    RJP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥1.33389

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    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)60V60V60V
    配置单路单路单路
    安装类型SMTSMTSMT
    FET功能---
    封装/外壳SOT89-3SOT89-3SOT89-3
    工作温度+150℃-+150℃
    Vgs(Max)±20V±20V±12V
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道
    连续漏极电流2A2.5A2A
    阈值电压2.5V3V@250µA1.5V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    输入电容140pF166pF160pF
    品牌RohmDIODESRohm
    极性N-沟道N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸4.50 x 2.50mm4.60 x 2.60mm2.90 x 1.60mm
    高度1.50mm1.60mm-
    是否无铅YesYesYes
    原始制造商Rohm Co.,Ltd.Diodes IncorporatedRohm Co.,Ltd.
    充电电量14nC-10nC
    原产国家JapanAmericaJapan
    额定功率500mW1.5W500mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@10V,2A250mΩ@10V,1.8A165mΩ@4.5V,2A
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    最小包装1000pcs1000pcs1000pcs
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期10 周10 周10 周
    系列---
    功率耗散500mW1.5W500mW
    零件状态ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4V,10V4.5V,10V2.5V,4.5V
    栅极源极击穿电压±20V±20V±12V
    击穿电压-60V-
    引脚数-3Pin-
    元件生命周期-ActiveActive
    反向传输电容Crss--45pF@10V
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