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    IPT015N10N5MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F 的区别

    IPT015N10N5

    制造商:Infineon

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)100V---
    阈值电压3.8V@250μA---
    配置单路---
    封装/外壳HSOF8SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/reelTape/reel-Tape/reel
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    栅极电荷(Qg)169nC---
    连续漏极电流300A---
    击穿电压100V---
    功率耗散375W300mW250mW300mW
    额定功率375W300mW250mW300mW
    极性N-沟道NPN-Bidirectional
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5mΩ@10V,150A---
    类型1个N沟道---
    品牌InfineonMCCPANJITDIODES
    最小包装2000pcs3000pcs-3000pcs
    引脚数8Pin3Pin3Pin3Pin
    是否无铅YesYesYesYes
    高度2.40mm1.00mm1.10mm1.10mm
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    长x宽/尺寸10.12 x 10.60mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    存储温度-55℃~+175℃--55℃~+150℃-
    原始制造商Infineon Technologies AGMicro Commercial Components--
    原产国家GermanyAmericaChina Taiwan-
    充电电量169nC---
    认证信息RoHS---
    反向传输电容Crss80pF---
    输入电容12nF---
    栅极源极击穿电压±20V---
    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)1.5mΩ---
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-500mV200mV200mV
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    跃迁频率-100MHz100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)-10080@10mA,5V50
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    集电极截止电流 (Icbo)-50nA(ICBO)-500nA(ICBO)
    制造商标准提前期-8 周-12 周
    系列-Original-Original
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    特征频率(fT)-100MHz100MHz300MHz
    集电极-发射极电压 VCEO-160V160V160V
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