IPT015N10N5 与
MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F 的区别
制造商:Infineon 最优价格:¥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商:MCC 最优价格:¥0.07280 查看详情 查看数据资料 | 制造商:PANJIT 最优价格:¥0.10081 查看详情 查看数据资料 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.08800 查看详情 | |
ECCN编码 | ||||
漏源电压(Vdss) | 100V | - | - | - |
阈值电压 | 3.8V@250μA | - | - | - |
配置 | 单路 | - | - | - |
封装/外壳 | HSOF8 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
包装 | Tape/reel | Tape/reel | - | Tape/reel |
工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
栅极电荷(Qg) | 169nC | - | - | - |
连续漏极电流 | 300A | - | - | - |
击穿电压 | 100V | - | - | - |
功率耗散 | 375W | 300mW | 250mW | 300mW |
额定功率 | 375W | 300mW | 250mW | 300mW |
极性 | N-沟道 | NPN | - | Bidirectional |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5mΩ@10V,150A | - | - | - |
类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
品牌 | Infineon | MCC | PANJIT | DIODES |
最小包装 | 2000pcs | 3000pcs | - | 3000pcs |
引脚数 | 8Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
高度 | 2.40mm | 1.00mm | 1.10mm | 1.10mm |
元件生命周期 | Active | Active | Active | - |
长x宽/尺寸 | 10.12 x 10.60mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.30mm |
零件状态 | Active | Active | Active | Active |
存储温度 | -55℃~+175℃ | - | -55℃~+150℃ | - |
原始制造商 | Infineon Technologies AG | Micro Commercial Components | - | - |
原产国家 | Germany | America | China Taiwan | - |
充电电量 | 169nC | - | - | - |
认证信息 | RoHS | - | - | - |
反向传输电容Crss | 80pF | - | - | - |
输入电容 | 12nF | - | - | - |
栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5mΩ | - | - | - |
集射极击穿电压Vce(Max) | - | 160V | 160V | 160V |
Vce饱和压降 | - | 500mV | 200mV | 200mV |
晶体管类型 | - | NPN | NPN | NPN |
跃迁频率 | - | 100MHz | 100MHz | 100MHz |
DC电流增益(hFE) | - | 100 | 80@10mA,5V | 50 |
湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | - | 1(无限) |
集电极截止电流 (Icbo) | - | 50nA(ICBO) | - | 500nA(ICBO) |
制造商标准提前期 | - | 8 周 | - | 12 周 |
系列 | - | Original | - | Original |
集电极电流 Ic | - | 600mA | 600mA | 600mA |
特征频率(fT) | - | 100MHz | 100MHz | 300MHz |
集电极-发射极电压 VCEO | - | 160V | 160V | 160V |
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