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    IPT015N10N5MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G 的区别

    IPT015N10N5

    制造商:Infineon

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

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    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    工作温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    栅极电荷(Qg)169nC---
    连续漏极电流300A---
    漏源电压(Vdss)100V---
    阈值电压3.8V@250μA---
    配置单路--单路
    封装/外壳HSOF8SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/reel-Tape/reelTape/reel
    长x宽/尺寸10.12 x 10.60mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    存储温度-55℃~+175℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    原始制造商Infineon Technologies AG--ON Semiconductor Inc.
    原产国家GermanyChina Taiwan-America
    充电电量169nC---
    认证信息RoHS---
    反向传输电容Crss80pF---
    输入电容12nF---
    栅极源极击穿电压±20V---
    不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)1.5mΩ---
    击穿电压100V---
    功率耗散375W250mW300mW225mW
    额定功率375W250mW300mW225mW
    极性N-沟道-BidirectionalNPN
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.5mΩ@10V,150A---
    类型1个N沟道---
    品牌InfineonPANJITDIODESON
    最小包装2000pcs-3000pcs3000pcs
    引脚数8Pin3Pin3Pin3Pin
    是否无铅YesYesYesYes
    高度2.40mm1.10mm1.10mm1.11mm
    元件生命周期ActiveActive-Active
    跃迁频率-100MHz100MHz-
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-200mV200mV200mV
    DC电流增益(hFE)-80@10mA,5V50250
    特征频率(fT)-100MHz300MHz-
    集电极-发射极电压 VCEO-160V160V160V
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    系列--Original-
    集电极截止电流 (Icbo)--500nA(ICBO)100nA
    制造商标准提前期--12 周12 周
    发射极与基极之间电压 VEBO---6V
    集电极-基极电压(VCBO)---180V
    印字代码---G1
    脚间距---1.9mm
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