LM358M/TR 与
CD4011BME4、MC14011BDG、CD4011BM96 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 增益带宽积(GBP) | 1MHz | - | - | - |
| 输出类型 | - | - | - | - |
| 工作电流 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOP8_150MIL | SOIC-14 | SOIC-14 | SOIC-14 |
| 包装 | Tape/Reel | - | - | - |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | - | - | - |
| 输入偏置电流 | 10nA | - | - | - |
| -3db带宽 | - | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 压摆率 | 300mV/μs | - | - | - |
| 电源电压,单/双(±) | 3V~30V,±1.5V~±15V | - | - | - |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
| 最小包装 | 4000pcs | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 8.65 x 3.90mm | 8.65 x 3.90mm | 8.75 x 4.00mm |
| 放大器类型 | 通用 | - | - | - |
| 品牌 | HGSEMI | TI | Onsemi | TI |
| 通道数 | 2 | 4 | 4 | 4 |
| 原产国家 | China | - | - | - |
| 原始制造商 | Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd. | Texas Instruments Incorporated | ON Semiconductor Inc. | Texas Instruments Incorporated |
| 元件生命周期 | Active | - | - | - |
| 引脚数 | 8Pin | 14Pin | 14Pin | 14Pin |
| 高度 | 1.57mm | 1.75mm | 1.38mm | 1.75mm |
| 存储温度 | -65~+150℃ | - | - | - |
| 高电平范围 | - | 3.5V~11V | 3.5V~11V | 3.5V~11V |
| 低电平范围 | - | 1.5V~4V | 1.5V~4V | 1.5V~4V |
| 静态电流 | - | 1µA | 1µA | 1µA |
| 输入数 | - | 2 | 2 | 2 |
| 电源电压 | - | 3V~18V | 3V~18V | 3V~18V |
| 类型 | - | NAND Gate | NAND Gate | NAND Gate |
| 脚间距 | - | 1.27mm | - | 1.27mm |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 电路数 | - | 4 | 4 | 4 |
| 延迟时间 | - | 90ns | 80ns | 90ns |
| 系列 | - | 4000B | 4000B | 4000B |
| 输出电流 | - | 3.4mA | 8.8mA | 3.4mA |
| 特性 | - | - | - | - |
| 逻辑类型 | - | - | - | 与非门 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | - | 1(无限) |
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