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    MMBT2222A_R1_00001MMBT2222ATT1G、MMBT2222LT1G 的区别

    MMBT2222A_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    MMBT2222ATT1G

    制造商:ON

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    MMBT2222LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    DC电流增益(hFE)10075~375100
    晶体管类型NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)40V40V30V
    安装类型SMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT416SOT-23
    零件状态ActiveActiveActive
    功率耗散225mW150mW225mW
    是否无铅YesYesYes
    品牌PANJITON-
    原产国家ChinaAmerica-
    认证信息RoHS, HF(Halogen Free)--
    长x宽/尺寸2.92 x 1.30mm1.60 x 0.80mm2.90 x 1.30mm
    额定功率225mW150mW300mW
    高度1.00mm0.90mm0.94mm
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))40V40V1.6V@500mA,50mA
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA
    元件生命周期ActiveActive-
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    跃迁频率-40MHz250MHz
    配置-单路-
    Vce饱和压降-1V400mV
    包装-Tape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    集电极-基极电压(VCBO)-75V-
    系列---
    集电极截止电流 (Icbo)--10nA(ICBO)
    极性-NPN-
    印字代码-1P-
    制造商标准提前期-12 周9 周
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)
    最小包装-3000pcs-
    特征频率(fT)-300MHz250MHz
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V-
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