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    NCE6075K 的区别

    NCE6075K

    制造商:NCE

    最优价格:¥1.23648

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    ECCN编码
    晶体管类型N沟道
    漏极电流1uA
    Vgs(Max)20V
    封装/外壳TO-252(DPAK)
    安装类型SMT
    工作温度-55℃~+175℃
    漏源电压(Vdss)60V
    配置单路
    阈值电压4V
    包装Tape/reel
    栅极电荷(Qg)50nC
    连续漏极电流75A
    类型1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11.5mΩ@10V,30A
    引脚数3Pin
    充电电量50nC
    零件状态Active
    栅极源极击穿电压±20V
    额定功率110W
    击穿电压60V
    输入电容2.35nF
    长x宽/尺寸6.70 x 6.20mm
    最小包装2500pcs
    极性N-沟道
    品牌NCE
    反向传输电容Crss205pF
    原产国家China
    存储温度-55℃~+175℃
    功率耗散110W
    元件生命周期Active
    高度2.40mm
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