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RT1A050ZPTR 与
LM311MX/NOPB 的区别
制造商：ROHM 最优价格：￥1.13973 查看详情 查看数据资料 | 制造商：TI 最优价格：￥2.82099 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| Vgs(Max) | ±10V | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 12V | - | ||
| 连续漏极电流 | 5A | - | ||
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/Reel | ||
| 晶体管类型 | P沟道 | - | ||
| 阈值电压 | 1V@1mA | - | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 封装/外壳 | SMD8 | SOIC-8 | ||
| 工作温度 | +150℃ | 0℃~+70℃ | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | ||
| 系列 | - | - | ||
| 功率耗散 | 600mW | - | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 1.5V，4.5V | - | ||
| 制造商标准提前期 | 10 周 | - | ||
| 极性 | P-沟道 | - | ||
| 额定功率 | 600mW | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@4.5V,5A | - | ||
| 输入电容 | 2.8nF@6V | - | ||
| 类型 | 1个P沟道 | - | ||
| 是否无铅 | Yes | - | ||
| 输出电流 | - | - | ||
| 静态电流（Max） | - | 7.5mA | ||
| 输出类型 | - | DTL,MOS,Open-Collector,Open-Emitter,RTL,TTL | ||
| 电源电压，单/双（±） | - | 5V~36V,±2.5V~18V | ||
| 输入失调电压(Vos) | - | 7.5mV | ||
| 输入偏置电流 | - | 250nA | ||
| 通道数 | - | 单通道 | ||
| 传播延迟时间 | - | - | ||
| 存储温度 | - | -65~+150℃ | ||
| 长x宽/尺寸 | - | 4.90 x 3.90mm | ||
| 高度 | - | 1.55mm | ||
| 引脚数 | - | 8Pin | ||
| 放大器类型 | - | 通用 | ||
| 最小包装 | - | 2500pcs | ||
| 认证信息 | - | RoHS | ||
| 品牌 | - | TI | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 原始制造商 | - | Texas Instruments Incorporated | ||
| 原产国家 | - | America | ||
| 电源电压 | - | 5V~36V;2.5V~18V | ||
| 脚间距 | - | 1.27mm | ||
| 供电电流 | - | 7.5mA | ||
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