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2SC3326-B,LF(T 与
的区别
制造商：Toshiba 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | ||||
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SC59 | |||
| 跃迁频率 | 30MHz | |||
| DC电流增益(hFE) | 700 | |||
| 晶体管类型 | NPN | |||
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 20V | |||
| 包装 | Tape/reel | |||
| 安装类型 | SMT | |||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |||
| 配置 | 单路 | |||
| Vce饱和压降 | 42mV | |||
| 品牌 | Toshiba | |||
| 原始制造商 | Toshiba Corporation | |||
| 原产国家 | China | |||
| 额定功率 | 150mW | |||
| 高度 | 1.10mm | |||
| 特征频率(fT) | 30MHz | |||
| 引脚数 | 3Pin | |||
| 应用 | Consumer | |||
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.50mm | |||
| 应用等级 | AEC-Q101 | |||
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | |||
| 功率耗散 | 200mW | |||
| 零件状态 | Active | |||
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 20V | |||
| 印字代码 | CCA | |||
| 集电极电流 Ic | 300mA | |||
| 认证信息 | RoHS, AEC-Q101 | |||
| 发射极基极导通电压VBE(on) | 610mV | |||
| 是否无铅 | Yes | |||
| 发射极与基极之间电压 VEBO | 5V | |||
| 元件生命周期 | Active | |||
| 集电极-基极电压（VCBO） | 50V | |||
| 极性 | NPN | |||
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