BSS123,215与BST82,235、2N7002,215、BSS192,115的区别、参数差异，BSS123,215的近似替代型号-华秋商城

BSS123,215 与 BST82,235、2N7002,215、BSS192,115 的区别

隐藏相同项高亮不同项	BSS123,215 制造商：Nexperia 最优价格：￥1.06445 查看详情 查看数据资料	BST82,235 制造商：Nexperia 最优价格：￥查看详情 查看数据资料	2N7002,215 制造商：Nexperia 最优价格：￥0.16301 查看详情 查看数据资料	BSS192,115 制造商：Nexperia 最优价格：￥查看详情 查看数据资料
ECCN编码
包装	Tape/reel	Tape/reel	Tape/reel	Tape/reel
配置	单路	单路	单路	单路
Vgs(Max)	±20V	±20V	±30V	±20V
栅极电荷(Qg)	-	-	-	-
FET功能	-	-	-	-
漏源电压(Vdss)	100V	100V	60V	240V
连续漏极电流	150mA	190mA	300mA	200mA
晶体管类型	N沟道	N沟道	N沟道	P沟道
安装类型	SMT	SMT	SMT	SMT
工作温度	-55℃~+150℃(TJ)	-55℃~+175℃	-65℃~+150℃	-55℃~+175℃
阈值电压	2.8V@1mA	2V@1mA	2.5V@250µA	2.8V@1mA
封装/外壳	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT89-3
击穿电压	100V	100V	60V	240V
零件状态	Active	Active	Active	Active
是否无铅	Yes	Yes	Yes	Yes
极性	N-沟道	N-沟道	N-沟道	P-沟道
品牌	Nexperia	Nexperia	Nexperia	Nexperia
制造商标准提前期	8 周	8 周	8 周	13 周
输入电容	23pF	25pF	50pF	55pF
栅极源极击穿电压	±20V	±20V	±30V	±20V
技术路线	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	-	MOSFET (Metal Oxide)
功率耗散	250mW	830mW	830mW	1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)	6欧姆@120mA，10V	10欧姆@150mA，5V	-	-
元件生命周期	Active	-	-	-
系列	TrenchMOS™	TrenchMOS™	TrenchMOS™	-
原产国家	Netherlands	Netherlands	America	Netherlands
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）	10V	-	10V	10V
原始制造商	Nexperia Semiconductor Co., Ltd.	Nexperia Electronics Co. Ltd	Nexperia Semiconductor Co., Ltd.	Nexperia Electronics Co. Ltd
湿气敏感性等级 (MSL)	1（无限）	1（无限）	1（无限）	1（无限）
最小包装	3000pcs	1000pcs	3000pcs	1000pcs
引脚数	3Pin	3Pin	3Pin	3Pin
高度	1.10mm	1.80mm	1.10mm	1.60mm
长x宽/尺寸	2.90 x 1.30mm	2.90 x 1.30mm	3.00 x 1.40mm	4.60 x 2.60mm
存储温度	-55℃~+150℃	-55℃~+175℃	-65℃~+150℃	-55℃~+175℃
反向传输电容Crss	4pF	5pF	3.5pF	5pF
漏极电流	-	-	300mA	-
印字代码	-	-	0.12	-
充电电量	-	-	-	1.9nC
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