尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    MMBT5551-7-FMMBT5551LT3G、MMBT5551-TP 的区别

    MMBT5551-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12825

    查看详情

    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.19710

    查看详情

    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07410

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    Vce饱和压降200mV200mV500mV
    跃迁频率100MHz-100MHz
    DC电流增益(hFE)5080~250100
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    晶体管类型NPNNPNNPN
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    品牌DIODESONMCC
    零件状态ActiveActiveActive
    系列Original-Original
    特征频率(fT)300MHz-100MHz
    最小包装3000pcs10000pcs3000pcs
    集电极截止电流 (Icbo)500nA(ICBO)100nA50nA(ICBO)
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    高度1.10mm1.11mm1.00mm
    制造商标准提前期12 周12 周8 周
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    功率耗散300mW225mW300mW
    极性-NPNNPN
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    额定功率300mW225mW300mW
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))160V160V160V
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA
    是否无铅YesYesYes
    配置-单路-
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V-
    存储温度--55℃~+150℃-
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial Components
    原产国家-AmericaAmerica
    印字代码-G1-
    集电极-基极电压(VCBO)-180V-
    元件生命周期--Active
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照