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IR2101STRPBF 与
IRS2101STRPBF、IR2101STRPBF 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | 8Pin | |
| 工作电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | |
| 输出电流 | 360mA | - | 360mA | |
| 上升/下降时间 | 100ns，50ns | 70, 35ns | 100ns，50ns | |
| 输出类型 | - | - | - | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 通道类型 | Independent | Detached | Independent | |
| 封装/外壳 | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | |
| 通道数 | 2 | 2 | 2 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | MOSFET；IGBT | |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 高度 | 1.75mm | 1.75mm | 1.75mm | |
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V，3V | 0.8V，2.5V | 0.8V，3V | |
| 系列 | - | Original | - | |
| 供电电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | |
| 输入类型 | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | |
| 品牌 | Infineon | Infineon | Infineon | |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 210mA，360mA | 290mA，600mA | 210mA，360mA | |
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | - | Infineon Technologies AG | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V | 600V | 600V | |
| 驱动器数 | 2 | 2 | 2 | |
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | IGBT, N通道 MOSFET | |
| 电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | |
| 逻辑低电平 | - | 0.8, 2.5V | - | |
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