电子百科
与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:
非易失性
即使没有上电,也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)
更高速度写入
像SRAM一样,可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作,无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间: E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012次循环(100万亿循环)/位的耐久力
耐久性:超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗:低于1/400的E2PROM
FRAM的存储单元主要由电容和场效应管构成,但这个电容不是一般的电容,在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。前期的FRAM的每个存储单元使用2个场效应管和2个电容,称为“双管双容”(2T2C),每个存储单元包括数据位和各自的参考位。
在FRAM读操作后必须有个“预充电”过程,来恢复数据位。增加预充电时间后,FRAM一个完整的读操作周期为130ns,图(a)所示。这是与SRAM和E2PROM不同的地方。图(b)为写时序。
FRAM |
E2PROM |
Flash |
SRAM | |
存储器类别 |
非易失性 |
非易失性 |
非易失性 |
易失性 |
晶胞结构*1 |
1T1C/2T2C |
2T |
1T |
6T |
数据改写方法 |
覆盖写入 |
擦除+写入 |
扇面擦除+ 写入 |
覆盖写入 |
写入循环时间 |
150ns*2 |
5ms |
10µs |
55ns |
耐久力 |
最大 1012 (1万亿次循环*3)*2 |
106 (100万次循环) |
105 (10万次循环) |
无限制 |
写入操作电流 |
5mA(典型值)*2 15mA(最大值)*2 |
5mA(最大值) |
20mA(最大值) |
8mA(典型值) |
待机电流 |
5µA(典型值)*2 50µA(最大值)*2 |
2µA(最大值) |
100µA(最大值) |
0.7µA(典型值) 3µA(最大值) |