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与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。
和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。
由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管VT1、VT2分别具有共基极电流增益α1和α2。
a1+a2=1是器件临界导通的条件。当a1+a2>1时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当a1+a2
1、抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。
2、等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间tf 。
3、残存载流子复合——尾部时间tt 。
4、通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。
5、门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短。
6、门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间 。
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