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1.硅片清洗制绒
2.正面用PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜
3.背面用PECVD制备 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜
4.在两面用溅射法 沉积透明导电氧化 物薄膜
5.丝网印刷制备电 极
1 非晶硅太阳电池的研究，现在主要着重于改善非晶 硅膜本身性质，以减少缺陷密度。严格控制a-Si/cSi界面质量，不断降低缺陷态密度。
2 优化光陷，降低反射率。
3 提高透明导电膜的电导率，透射率。
4 降低金属栅线的接触电阻。
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