吸收电容

　　双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。

　　电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构

　　封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.

　　尺寸: 适合于各种IGBT保护。

　　电容量: 0.0047 to 6.8μF

　　额定电压: 700 to 3000 Vdc

　　损耗角正切:

　　测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

　　Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

　　绝缘电阻: 3000s，s= MΩ. μF

　　测试条件 1 minute，100Vdc (25±5℃)

　　耐电压: 2Ur (DC)测试条件 10s，t 25±5℃，1Min

　　工作温度: -40~+85℃