smd

　　1、有源电子元件：在模拟或数字电路中，可以自己控制电压和电流，以产生增益或开关作用，即对施加信号有反应，可以改变自己的基本特性。无源电子元件：当施以电信号时不改变本身特性，即提供简单的、可重复的反应。

　　2、连接件：提供机械与电气连接/断开，由连接插头和插座组成，将电缆、支架、机箱或其它PCB与PCB连接起来；可是与板的实际连接必须是通过表面贴装型接触。

　　3、异型电子元件：其几何形状因素是奇特的，但不必是独特的。因此必须用手工贴装，其外壳(与其基本功能成对比)形状是不标准的例如：许多变压器、混合电路结构、风扇、机械开关块，等。

　　（1）叠层工艺技术

　　以前连通方式主要有三种，即：机械穿孔工艺(干法)、交迭印刷工艺（湿法）、内连接工艺(湿法），然而这三种工艺技术都有不足之处，都难以有效地制作尺寸更小、更精细的片式元件。

　　现在对机械穿孔连接工艺做了很大改进，采用激光穿孔、周密印刷、自动微孔注浆技术，使孔径缩减到50μm，位置精度±20μm。印刷线宽、线距为50μm，位置精度±10μm。利用这种先进工艺技术可以制作尺寸更小、更精细的片式元件和LTCC无源集成元件。

　　（2）超薄介质层与纳米粉料技术

　　现在的片式多层陶瓷电容器（MLCC）电容量已提高到100μf 并己实用化。之所以如此，是由于得到了超薄介质层与纳米粉料技术的强力支持。其介质层既薄又均匀，表明了目前超薄介质层技术的发展水平。为了使陶瓷介质层薄到1μm上下，陶瓷粉料的颗粒度必须为纳米级；为了将层数增加到几百层，从成本考虑，必须采用金属电极替代Ag/Pd。这样开发抗还原纳米陶瓷粉料就成了关键问题。目前，在这方面国内外已经有了飞跃发展。

　　（3）薄膜技术

　　前些年薄膜技术主要用来制造以微波集成为代表的薄膜电路。成本相当高，产量规模也不大。近些年，薄膜制造技术大有发展，除了传统的物理方法外，化学方法大显神手，将薄膜制造技术带入到低成本大规模的生产模式。用这种工艺技术制造的片式元件具有体积小，高频特性优异，并易于集成的特点。

　　（4）半导体微电子技术

　　在上世纪末的二十年中，半导体微电子技术发生了惊人的飞跃，从微米进展到亚微米，进而深亚微米，而且生产率高、成本低、可靠性好，目前我国的生产水平已达0.18微米。相比之下，无源元件制造技术的发展却没有这样幸运。这几年无源元件开始借鉴、移植半导体微电子技术，这样的明智之举，立即取得了成效。

　　（1）高性能化

　　在市场驱动下，封装尺寸缩小的同时，性能却在日益提高。特别是在参数范围扩大、承受电流/功率的能力、无铅化、可靠性方面有显着提高。

　　（2）微小型/薄型化

　　人们曾经认为1005 (1.0×0.5mm)是片式元件最小封装尺寸的极限，因为这样微小型的封装尺寸会给贴装工艺带来很多困难。然而表面贴装技术的进步使（0.4×0.2×0.2mm）成了当前的主流封装尺寸。同时片式元件的封装尺寸并没有止步于，还会继续向小型化方向发展，究竟多大才是SMD器件的封装尺寸，我们将拭目以待。

　　（3）阵列化/组件化

　　为了应用方便并减小占居的PCB面积，各种片式元件都己阵列化。

　　（4）集成化/LTCC

　　无源集成是当今的发展方向，低温共烧（LTCC）是最适合用的无源集成技术。国外着名公司：美国国家半导体、摩托罗拉、日本村田等都已生产出大量LTCC产品，如：射频模块、蓝牙模块等，获得了广泛应用，并且技术难度在不断加大。LTCC技术有三大技术难点，即：摸拟仿真设计、专用材料和高精度工艺设备，不过现在这些技术国内外的公司都已经克服。

　　（5）高频（射频/微波）化

　　现代电子向高频发展趋势强劲，而且大多是便携式，传统的微波器件满足不了要求，从而有力地促进了片式高频(射频/微波)元器件的蓬勃发展.

　　melf圆柱形元件： 二极管, 电阻等

　　SOIC集成电路：

　　尺寸规格: SOIC08, 14, 16, 18, 20, 24, 28, 32

　　QFP 密脚距集成电路PLCC集成电路： PLCC20, 28, 32, 44, 52, 68, 84

　　BGA 球栅列阵包装集成电路：列阵间距规格: 1.27, 1.00, 0.80

　　CSP 集成电路：元件边长不超过里面芯片边长的1.2倍, 列阵间距

　　Chip片电阻,电容等： 尺寸规格: 0201, 0402, 0603, 0805, 1206, 1210, 2010, 等。

　　钽电容： 尺寸规格: TANA,TANB,TANC,TANDSOT

　　晶体管：SOT23, SOT143, SOT89等  SMD