请教：RAMTRON 铁电存储器的问题！谢谢！

这里不是说了，对使用没有什么影响嘛。
那就只是保证数据的安全特性方面的考虑了。
也就是说，如果不想关注安全特性，就不需要理会这个 block。

此Block只是FRAM内部的解码机制，对于用户来说无需关心，编程上也不需要特别处理。
FM1808不是Flash，不需要Flash的块操作以及写入查询序列，接口方面也与SRAM完全兼容。一句话，你把它当做SRAM操作就行。
另外FM1808已经停产，建议不要用于新产品设计。

谢谢楼上两位老师的指点！

endurance：在这里应该是“持久性” 。更改有"endurance"相应地方.

发此贴的目的是：
我们的产品上用到FM1808，用于存储掉电后不能丢失的数据。其中，有部分重要数据，想分页存储，但对于FM1808的结构不了解，资料是英文的，增加了理解难度，故发此贴。不知道我的理解对否，还请指点！

下图（图三）是FM1808.pdf第四页描述的持久性，试译如下：
在内部，F-RAM 操作带有读和恢复机构。因此，每次读和写循环包含一个状态改变。存储器体系结构是基于行和列的阵列。每次读或写的操作引起完整行的持久循环。对于FM1808来说，一行是32位宽。每4个字节边界表明一个新行的起始。持久性能可以达到优化，使频繁存取的数据位于不同的行。无论如何，F-RAM提供充分的高度写持久性比其他非易失性存储器。10000亿（10的12次方）次循的环标准持久性限制，即使每秒对相同行访问3000次，存储器的寿命也超过了10年！

这就是推荐你按照FM1808的内部结构进行磨损均分，类似于Flash那样。
由于FM1808内部的最小操作单位为32位，因此编程时按4字节对齐分散频繁操作的数据即可。
例如从0010H开始分配两个频繁操作的字符型变量的话，最好分别分配到0010H和0014H中。如果主控是32位微控制器的话就更好办了，频繁操作的外部变量统统int即可。

ejack老师说的很有深度，谢谢了！

假如现在有4个变量分别为：
unsigned char Variable0;
unsigned char Variable1;
unsigned char Variable2;
unsigned char Variable3;
30秒操作一次。
Variable0 的地址分配为3000，那么其余三个变量的地址分别为3004、3008、3012。这样分配有利于存储器的寿命。
呵呵！

FM18L08前段时间缺货！

:sleepy:

才08:31 ，iC921老师就困了！呵呵

:handshake

MB85R256H，看看pdf,了解一下，呵呵

每页为1K字节

MB85R256H是3.3V电源，我们的MCU是5V电源，不匹配，呵呵