0
问答首页 最新问题 热门问题 等待回答标签广场
我要提问

请教关于H桥电路的问题?



我最近搭了一个驱动70V,35W电机的电路,图如下:

供电后电机两端电压只有10V,不知那块出错了,各位朋友帮着看看,看哪儿错了,该怎么改?
提问者:minjie69 地点:- 浏览次数:6076 提问时间:05-17 04:37
我有更好的答案
提 交
9条回答
sur9 05-26 12:54
用“添加附件”或“批量上传”贴图,在主题贴中可以直接操作,在回帖中需要先点击“高级回复”。
theoks 05-24 08:09
楼主莫非自己能看到图?
LiuJingJ123 05-19 10:21
对不起大家了,第一次用!
xufang20160719 05-26 14:30
图太小了,看不清。不过电路结构是不可行的,上臂的MOSFET需要80V以上的驱动电压。
如果不需要调速,只是开关和换向,可以用光耦进行电平转移。
如需调速,考虑用IR的专用驱动芯片IR21XX系列。
王小琳子 05-24 06:35
MOS管打不开啊 …………
用电荷泵试试
wutao0105 05-19 00:32
NMOS打开的条件,G极电位比S极电压高VGS  ,你驱动信号5V,能干啥……
yonglanzhang 05-17 13:24
按你原来的图,作最少的更改:
  1. Q5、Q6改为PNP管
  2. 更改一些线路连接
  3. 增加一路82V电源
至82V电源可通过多种方法获得:
  1. 独立电源变压器
  2. 系统电源变压器有剩余绕组,通过倍压、降压或分压获得,或有12V绕组,与原有70V电源叠加获得。
  3. 在原有的15V电源中,增加电荷泵电路,配合70V电源获得。

82V电源需求电流很小,十几毫安足够了。
MOSFET的GS间一般要加18V稳压管保护。
60user171 05-17 19:37
若希望MOSFET饱和导通,需要在其GS极间施加大约9V~18V左右的电驱动电压,才可以获得较低的Vds压降,避免MOSFET耗散功率过大以致损坏。
既然饱和导通时源极输出接近电源电压70V,这就意味着栅极电压需要比源极70V高9~18V,这就是需要增加一个82V电源的原因。
当然82V不需要很精确,79V~88V范围内都合适。
60user179 05-26 14:00
谢谢大家帮助,问题解决了!
撰写答案
提 交
1 / 3
1 / 3