MOS管关断感性负载的保护机制

看到一芯片的内部结构有图中红色框中的电路部分，提到在外接感性负载时，会产生反电动势，而内部的Z1和D1可以起到保护作用，那保护的原理是什么

提问者：FAI_weilijuan 地点：- 浏览次数：2828 提问时间：08-20 01:43

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9条回答: 绵阳迪赛刘总 08-24 18:01

似乎应该是PMOS....

这个应该是用来限制Ugs。

 评论0  赞11; 徐红wendyxu 08-25 18:00

Q1才是保护感性负载的

 评论0  赞34; YHYDZ 08-26 05:20

D1和Z1是限制Ugs防止Ugs过大，Q1用于泄放感性负载关断瞬间产生的大电流从而保护MOS管的

 评论0  赞2; q153605268 08-22 22:23

因为是NNOS，如果S极感应出负高压，而G极又被D1、Z1钳住，所以UGS>0，然后NMOS导通。

 评论0  赞91; 稳特电子 08-24 13:21

qq609048002 完全就没看 5楼的管型瞎扯蛋了。
9楼说到点子上了。当由于感性负载使NMOS管的源极(S)出现负压，且大于Zds所钳制的电压，即源极电压小于(Vs-Vzds)时，Vzd导通，进而使NMOS管导通，给感性负载提供续流回路，以保护芯片的端口。

 评论0  赞32; lining870815844 08-20 18:38

那这样的话会不会出现一种情况是，源级虽然产生了负压，但是其幅值较小，导致栅级跟源级之间的电压值较小而不能使MOS管导通。

 评论0  赞24; jiangwenwen 08-21 11:57

顶一下，如果会有上面的情况的话，那如果外接感性负载的话外面一定要接续流二极管了。

 评论0  赞96; nmsaknd 08-22 11:23

同意4楼，9楼。
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感性负载关断后，磁场储能需要一个辞放的通道，一般会采用专门的消磁电路，如：RC，RCD，D，有源钳位等；
本案的应用，则勿需专门的消磁电路，当驱动脉冲关闭后，感性负载电流会下降，自感电动势上负下正，让NMOS处于恒流区消耗磁场能量。直到消磁完成后自感电动势消失，实现软关断。保护NMOS不被击穿。

 评论0  赞52; 陕西友航电子科技有限公司 08-26 16:09

感谢楼上的回复，基本明白了，等再实验试一下。

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