好资料分享，FRAM深度科普贴！！！

这几天在用FRAM(富士通的一款内置2K FRAM的RFID芯片MB89R118C)，对FRAM初次接触，学习了不少皮毛，Google了一些资料顺便分享给大家，抛砖引玉，有用过的大牛也给小弟一些指导哈（特别是目前主流器件关键性能的比较）！

铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、128Kit、256Kbit、1Mbit和4Mbit等密度

物理上的实现方式太过深奥干涩，想了解的同志自己百度/Google一下。谈谈铁电的优势和应用。
FRAM优势：
1. 快速写入，EEPROM写入速度为毫秒级，FRAM可以做到纳秒级。
2. 高耐久性，数据手册显示MB89R118的可擦写次数为100亿次，
3. 低功耗。

下面是具体的比较数据
读写速度是电可擦除只读存储器（EEPROM）读的40，000倍
擦写次数是电可擦除只读存储器（EEPROM）擦的1000,000倍
功耗是电可擦除只读存储器（EEPROM）的1/1,000



再列举几个FRAM在行业应用领域中与其他存储器相比较的主要优势：

频繁掉电环境
　　任何非易失性存储器可以保留配置。可是，配置更改或电源失效情况随时可能发生，因此，更高写入耐性的FRAM允许无任何限制的变更记录。任何时间系统状态改变，都将写入新的状态。这样可以在电源关闭可用的时间很短或立即失效时状态被写入存储器。

高噪声环境
　　在嘈杂的环境下向EEPROM写数据是很困难的。在剧烈的噪音或功率波动情况下，EEPROM的写入时间过长会出现漏洞（以毫秒衡量），在此期间写入可能被中断。错误的概率跟窗口的大小成正比。FRAM的写入执行窗口少于200ns。


RFID系统 在非接触式存储器领域里
FRAM提供一个理想的解决方案。低功耗访问在RFID系统中至关重要，因为，能源消耗是以距离成指数下降的。想要以最小的能耗读写标签数据就必须保持标签有足够近的距离。通过对射频发射机和接收机改进写入距离，降低运动的灵敏性（区域内的时间）以及降低射频（RF）功率需求，使需要写入的应用（i.e.借记卡，在生产工序中使用的标签）获得优势。
诊断和维护系统
在一个复杂的系统里，记录系统失效时的操作历史和系统状态是非常宝贵的。如果没有这些数据，能够准确的解决或执行需求指令是很困难的。由于FRAM具备高耐久性的特点，可以生成一个理想的系统日志。从计算机工作站到工业过程控制不同的系统，都能从FRAM中获益。