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MOS管中的米勒电容影响

MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，影响开启时间
一般解决办法就是在栅极和源极间并联一个小电容
这样做的原理是什么？
在什么情况下才考虑米勒电容？
米勒电容影响的时间怎么计算？
问题有点多，希望师傅们能够解答一下，谢谢了！

提问者：bbs注册地点：- 浏览次数：9987 提问时间：12-31 23:41

我有更好的答案

13条回答: testd00111 01-09 14:13

“米勒电容”不是个实在存在于MOSFET中的电容，它是MOSFET棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，这个效应所形成的等效电容称为米勒电容。
由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度。米勒电容的计算，可查数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。

 评论0  赞78; 好学的东东 01-03 00:17

谢谢HWM师傅！
米勒电容的计算，可查数据手册中的Cds？不是Cgd吗？

 评论0  赞72; mczxm 01-04 17:27

re 3L：

2楼有误，应该是Cgd。

 评论0  赞50; 60user107 01-05 23:55

在g与s之间并联电容对减少MOS管开通关断时间毫无用处，恰恰相反，会增加开通关断时间。
功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。

 评论0  赞75; lmcas 01-01 03:48

电容越并越大！如果理论上可能串一个还差不多，不过米勒电容是个等效电容无法串嘀！

MAY老爷子还没休息啊

 评论0  赞1; ya54031 01-06 01:21

在关断感性负载时，如果驱动电路的内阻不够小，在MOS的GS间并联一个适当的电容，可防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。

 评论0  赞71; shanghaichengyi 01-02 17:29

LS能详细讲解一下漏极电压塌陷吗？

 评论0  赞51; laoxuejiu 01-03 06:26

9楼：
这就是MOS管充电曲线。
从图中可以看出米勒电容不是在整个充电过程中都起作用，仅在MOS管处于线性放大状态时起作用。
图中曲线接近水平部分是米勒电容起作用的部分。左边倾斜上升部分，MOS管尚未导通，右边倾斜上升部分，MOS管已经进入可变电阻区(在开关电源中借用双极型三极管说法是“饱和”)。
米勒电容起作用部分接近水平，可见米勒电容相当大，
可见充电过程是非线性的，所以计算米勒电容意义不大。驱动电路应该在设计的上升时间内将门极充电到一定电压。如果需要知道米勒电容具体数值，可以量一量图中曲线接近水平部分的斜率来计算，这样比较准确。

 评论0  赞90; peternie 01-10 04:26

这个电容可以代替变容二极管做VCO用，蛮好使的。

 评论0  赞11; 胡政鹏测试_21 01-01 08:14

当采用共射放大电路而且增益比较大时要重点考虑，
解决办法：1降低源的阻抗2共射共基级联，共射提供电流增益，公基提供电压增益3。。。。。。

 评论0  赞84; fuywyerwew 01-07 04:27

14楼：
正确。
不过，说“米勒电容(或米勒效应)仅在饱和区存在”更好一些。
2楼HWM的表述已经说明：米勒电容并非常数，而是随增益而变化的。

 评论0  赞79; ywytwerw 01-02 09:34

受教了...

 评论0  赞78; 燃烧剪族 01-06 16:41

呵呵呵好好学习

 评论0  赞99

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