mos管驱动感性负载的问题
我用了一个PMOS管控制电锁,发现MOS管容易烧坏,已经在电锁两端接了二极管,还是不行。当PMOS管被击穿后,电流进入G极后,把控制电路都烧掉了,求解,先谢谢各位大侠了。
提问者:panqw
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提问时间:05-13 11:03
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- 12条回答
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小佳99
05-17 13:32
应该是过流所致,换更大规格的MOS管。
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bobnice
05-16 03:01
MOS管电流有4A,只用到了2A,我想还是电锁通断瞬间带来的高脉冲所致。抑制还有点困难,高手请赐教。
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yangyt
05-17 01:26
必须考虑瞬态最大电流,不能只考虑平均或者稳态电流。
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镁酷科技
05-15 03:53
电锁上并的二极管只能处理电锁线圈储能, 长长的引线上的储能仍然需要辞放, 如果处理不当, 就只能通过击穿MOS这一条路可走. 另外, MOS关断速度太快, 耐压裕量不够, 继流二极管速度不够等原因也有一定影响.
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我到底怎么了
05-22 02:41
负载电流2A,应该选择大很多的MOS管,比如10A的。
负载处加二极管外,最好并联RC吸收回路,要靠近MOS管。
另外,检查一下驱动电压是否合理,驱动输出可以串联电阻保护一下,并联一个电容,开关速度也可以变慢一些。
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anythink
05-20 20:01
应该是过流所致,换更大规格的MOS管。
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sagitturius
05-21 08:00
楼主还是说说, MOS在什么情况下损坏, 是长期通电吸合时损坏? 还是断电开门时损坏?
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sdfwefwe
05-17 20:44
把图纸发出来,分析才清楚些,不然只能是乱猜。就如8楼的兄弟说的那样,你连在什么状态下烧管都没说。怎么分析?
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elvissoso
05-15 10:51
这个是电锁,只是通电一下,马上断电。RC电路有的说是交流上比较适用。
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formlikon
05-21 22:00
有一点也很重要,MOS驱动电路是否能保证MOS管彻底导通?
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csshan3
05-21 04:58
上图吧!以便进一步分析
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asd002
05-17 19:15
上图吧!以便进一步分析