三极管组成推挽驱动与一只三极管驱动mos区别
在论坛里经常看到说开关频率高驱动就用三极管组成推挽，频率低就用一只三极管
推挽的话：上管通对MOS充电，下管通MOS放电
一只三极管的话：截止，MOS充电，导通，MOS放电
这充放电的速度上有什么区别呢？感觉都差不多呀
提问者：theoks
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浏览次数：8079
提问时间：04-26 13:09
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- 18条回答
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eileenchen321
05-02 22:44
推挽和单端驱动是不同的。
推挽电路，无论驱动MOS门极由低到高还是驱动由高到低，其驱动能力是一样的。
单端电路，这一支三极管由截止到导通的驱动能力强，由导通到截止驱动能力弱，因此时完全靠三极管的负载电阻来驱动MOS门极。
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nvwerwer
05-04 08:06
谢谢老爷子！
这么说它们的区别就是单端电路截止时的驱动电流不一样喽
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胡政鹏测试123
04-28 18:57
3楼：
是的。
单端电路用于频率较低场合没有问题，频率高了就不行，因驱动电流不够大，限制了MOS管速度。
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60user94
05-01 07:46
老爷子，小弟有点愚昧
频率怎么影响驱动电流了，I=VDD/Rc ，I不是有Rc决定的吗?
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60user123
05-04 19:47
5楼：
不是频率影响驱动电流，而是较小的驱动电流使得MOS管导通或关断所需要的时间变得较长，从而影响MOS管可以工作的频率。
MOS管门极输入是电容性质，不仅是管子的输入电容，还包括米勒电容(最近本版有个讨论米勒电容的帖)。要使MOS管导通或关断，必须对这些电容充电或放电。要导通或关断快，充电或放电电流就要够大，电流小，充电放电时间一定比较长，换言之，MOS管工作频率上不去。
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btvwerwer
05-05 21:24
7楼：
没错，单端电路如果负载电阻很小，也可以提供足够的电流，但你计算一下就知道了，那个功率是无法接受的。
推挽电路，仅在驱动脉冲上升沿和下降沿提供驱动电流，功率MOS管导通期间和截止期间都没有电流。但单端电路在功率MOS管的整个截止期间却要流过电流。
有一个电路可以避免这样大的功耗：用NPN管射极输出驱动功率MOS管(N沟)导通，另用一支PNP管和一支二极管使功率MOS管关断。
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easonl
05-04 18:38
还是没看明白，三极管推挽驱动mos门极由高到低或者由低到高，驱动能力一样。
这个由高到低和由低到高指的是什么参数值？
驱动能力一样是指的驱动电流大小不变吗？
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hwerewer
04-27 13:15
8# maychang
二极管用来干上面什么呢？
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kasonandy
04-27 14:48
说的有道理，可是不大明白呢
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ncvywerwew
05-02 12:58
mark,学习
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光摄微针
04-28 12:30
单管驱动,MOS管栅极电压上升沿很陡峭,跟推挽驱动是—样的,但是在下降沿,只靠单管驱动下面的负载电阻去泄放掉栅极上的电荷,需要很长的时间,在这段时间MOS管会经过-一个线性区,在线性区MOS管的功耗陡然增大,会发热滴。解決的办法是用推挽驱动,下面的驱动管是专门快速泄放栅极上的电荷的。这样就避免MOS管进入线性区。不知可否理解·
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HELLOKITTYNEW
04-28 19:11
单管驱动，就相当于给MOS开关管栅极充电时是 驱动管饱和，电源直接加在电容上充电，充电相当快，但放电时驱动管截止了，只能靠下拉电阻放电，当然慢了
推挽也就是图腾驱动 充电时是上面的三极管饱和导通，电源直接给栅容充电
放电时是下面的三极管饱和导通，电容相当于直接对地短路放电（当然为了说明差别，理想化了，实际上受引线阻抗以及三极管集电极最大电流的限制）
你说哪个放的快
另外，就是因为充放电电流主要受三极管集电极电流的限制，所以如果开关频率较高时，还要保证可以接受的上升沿时间及下降沿时间，必须提高图腾驱动能力
也就是换集电极电流更大的三极管对管
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www033
05-02 06:15
楼上各位高手说的充电是个什么概念？结电容吗？记得不是栅极电压高就导通吗？
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60user99
05-06 09:32
那是稳态的情况下，只要一定电压，不消耗电流就能导通
因为电容在稳态下相当于断路
但在交流下，电容两端的电压建立和消除都需要时间
交流下电容的充放电 每本电工书上都有，楼主可以仔细看看就明白了
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kingnet_52003
04-28 18:17
同意14的意见
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不会不会
04-29 21:08
有点深奥啊！！！不是很明白啊
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cherry_08042
04-30 20:05
14楼讲解的不错，学习了
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pengzhongdianzi
05-01 03:29
MARK 好帖子
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