以下是关于雪崩二极管噪声的一些文献资料:
1. 基于BCD工艺的低噪声SPAD探测器研究:该研究针对硅基SPAD探测器在近红外波段人眼安全阈值低、暗计数噪声高等问题,提出了解决方案。通过SPAD器件性能建模与仿真研究,分析了器件光子探测概率与暗计数率的产生机制,并采用Matlab进行行为级建模。设计了一种高压P阱/N+埋层结构的SPAD器件,利用外延层作为虚拟保护环,降低暗计数噪声。测试结果表明,在5 V过偏压下,器件的暗计数率仅为200Hz。
2. 具有数字校准功能的低噪声TOF探测器研究与设计:该研究针对SPAD探测器的时间分辨率和动态范围问题,设计了高时间分辨率、大动态范围的光子飞行时间(TOF)电路。采用时间幅度转换(Time-to-Amplitude Converter, TAC)与数字计数器相结合的方式,提高了探测器的时间分辨率和动态范围。测试结果表明,TOF电路在160 ns的动态范围内的时间分辨率达到10 ps。
3. 基于InGaAs NFAD的集成型低噪声近红外单光子探测器:该研究设计了一种基于InGaAs负反馈雪崩二极管(NFAD)的自由运转式集成型近红外单光子探测器。通过无前级放大器的雪崩信号高阻抗差分提取电路,提高了淬灭性能和稳定性。实验结果表明,探测器在-50℃、10%探测效率时可用死时间低至120 ns,暗计数率890 Hz。
4. 一种片内噪声抑制的PLL-TDC式单光子TOF探测器设计:该研究针对远距离探测中光子回波信号能量较低、测量距离与时间分辨率相互制约及环境光噪声水平较高等问题,设计了一种高性能SPAD器件和光子飞行时间(TOF)测量电路。采用三段式的时间-数字转换电路(TDC),实现了高精度探测。
5. 高精度全集成激光雷达传感器芯片关键技术研究:该研究致力于利用集成电路技术实现高精度全集成激光雷达芯片,设计了一款基于0.18μm高压CMOS工艺的脉冲式直接飞行时间型激光雷达芯片。通过在TDC中加入精心设计的开始/终止逻辑电路和施密特触发器,提高了系统的时间分辨率。
6. 基于SPAD的光子飞行时间探测器像素单元研究与设计:该研究提出了一种高精度、低噪声、高效响应近红外短波的SPAD像素单元。通过光子事件检测电路和两级流水线型时间-数字转换器(TDC),实现了高精度探测。
7. 超低暗计数率硅单光子探测器的实现:该研究探讨了单光子雪崩二极管的温度特性,发现暗计数率随着温度的降低呈指数下降趋势。通过冷却和调整偏置电压,实现了超低暗计数率单光子探测器。
8. 基于光电雪崩二极管电荷灵敏前置放大器的研制:该研究设计了一款基于光电雪崩二极管的电荷灵敏前置放大器,测试结果表明放大器的零电容噪声为2599e-,噪声斜率为24e-/p F。
9. 基于数字相位控制的低太赫兹频段功率合成:该研究提出了一种基于数字相位控制在低频率太赫兹波的功率合成的方法,使用渡越时间雪崩二极管设计完成了在0.11THz的原理样机。
10. 基于InGaAs/InP雪崩二极管的单光子探测及其噪声分析:该研究对量子通信中使用的InGaAs/InP单光子雪崩二极管进行了理论分析和实验研究,探讨了单光子探测过程中的噪声及其影响。
这些文献资料涵盖了雪崩二极管噪声的各个方面,包括器件设计、噪声抑制技术、温度特性分析以及在特定应用中的性能表现。通过这些研究,可以更深入地理解雪崩二极管在实际应用中的噪声特性,并为进一步的优化提供理论基础和技术支持。