肖特基二极管在反向击穿时，其特性和整流二极管有何不同

肖特基二极管（SBD）与普通整流二极管在反向击穿特性上存在显著差异。肖特基二极管具有低正向压降和快速开关特性，其正向压降通常在0.15V-0.45V之间，远低于普通二极管的0.6V-1.7V。肖特基二极管的内部结构是金属-半导体结，而非PN结，这使得其在高频应用中具有优势。

然而，肖特基二极管的反向偏压较低，通常不超过50V，远低于普通二极管的500V或更高。这意味着在高反向电压下，肖特基二极管更容易损坏。此外，肖特基二极管的反向漏电流较大，且随温度升高而增大，这可能导致热失控问题。

在反向击穿时，肖特基二极管的反向恢复时间非常短，因为它只涉及肖特基势垒电容的充放电过程，而没有少数载流子的存储和释放，这使得其开关速度非常快。但这也意味着在设计时需要特别注意其热管理和反向电压的耐受性。

总的来说，肖特基二极管在低电压、高频开关应用中表现出色，但在高反向电压应用中可能不是最佳选择。设计者需要根据应用需求和环境条件，权衡肖特基二极管的优缺点，做出合适的选择。