降低ESD二极管的电容值可以通过以下几种方法实现:
1. 优化设计:通过优化ESD二极管的布局设计,可以减少器件的电容。例如,使用更小的二极管或将多个小二极管并联使用,可以降低整体电容。
2. 掺杂井开槽:通过对掺杂井进行开槽,可以降低二极管的浓度,从而获得具有超低电容的TVS二极管,而无需增加工艺程序,也不会损害ESD能力。
3. 新型掺杂浓度:降低结点的掺杂浓度至传统结构的百分之一,可以显著降低电容值。例如,当结点从p+/NW变为PW/NW时,垂直方向的面积仅增加了两到三倍,因此电容值也随之降低。
4. 选择合适的二极管类型:选择具有较低电容特性的ESD保护二极管,如TVS二极管,可以在不牺牲保护性能的前提下降低电容。
5. 使用串联二极管:通过使用串联二极管,可以起到降低结构整体电容的作用,同时保持ESD保护性能。
6. 避免使用过大的二极管:较大的二极管虽然可以提供更强的ESD保护,但同时也会带来更大的电容。因此,应根据实际需要选择合适的二极管尺寸。
7. 使用多级保护:通过使用多级ESD保护结构,可以在不同级别上分散ESD应力,从而降低单个二极管的电容需求。
8. 优化PCB布局:合理的PCB布局可以减少信号路径的长度,从而降低寄生电容的影响。
通过上述方法,可以在保持ESD保护性能的同时,有效降低ESD二极管的电容值,满足高速信号传输的要求。