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肖特基二极管（SBD）的反向击穿电压通常较低，一般不会超过60V，最高大约在100V左右。这限制了肖特基二极管在高电压应用中的使用。然而，随着技术的发展，现在已有150V和200V的高压肖特基二极管上市，并且使用新型材料制作的超过1kV的肖特基二极管也已研制成功。肖特基二极管的主要优点包括正向导通和正向压降低，以及由于是多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题，因此开关速度非常快，适合高频应用。但它们的缺点是反向偏压较低及反向漏电流偏大，且反向漏电流会随温度升高而增大，设计时需注意热失控的风险。
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