以下是一些关于肖特基二极管的参考资料:
1. 一种在空气中运行稳定的界面保护型光学神经突触器件:提出了利用在二氧化硅表面覆盖一层超薄氮化硅来隔离空气中氧气的方法,以提高器件在空气中的运行稳定性,并模拟突触可塑性行为。
2. 基于肖特基二极管的310 GHz紧凑型接收机前端:介绍了肖特基混频器在固态太赫兹接收系统中的应用,以及如何设计288~318 GHz二次谐波混频器及其本振驱动链路。
3. 基于对差分结构的320 GHz三倍频器:讨论了高频特性下肖特基二极管有源区电气模型建模方法,并实现了一种基于对差分结构的320 GHz三倍频器。
4. 毫米波宽带高中频单平衡混频器设计与实现:提出了一种E波段宽带高中频单平衡混频器,利用肖特基二极管的非线性实现混频。
5. 适用于共晶焊的肖特基二极管背面金属化工艺优化:研究了肖特基二极管背面金属化工艺,以提升电性能和共晶焊的可靠性。
6. 基于SiC的雷达微波放大器高频电源设计:介绍了一种利用3.3 kV碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管实现的1 kW电源方案。
7. 基于SiC肖特基二极管温度特性的研究:采用仿真方法对铂Pt/SiC肖特基二极管器件进行了测试,研究了其在高温下的伏安特性。
8. 260 GHz GaN高功率三倍频器设计:设计了一款基于GaN太赫兹二极管芯片的260 GHz三倍频器,采用非平衡式电路结构。
9. 新型多级沟槽结势垒肖特基二极管:提出了一种新型多级沟槽结势垒肖特基(MTJBS)二极管结构,并利用Silvaco TCAD软件进行仿真优化。
10. 一种太赫兹可重构超表面设计方法:提出了一种基于肖特基二极管的1 bit相位可重构超表面,通过控制肖特基二极管的偏置电压实现相位切换。
11. 星载220 GHz分谐波混频器设计:提出了一款220 GHz次谐波混频器,基于平面GaAs肖特基二极管3D电磁模型进行设计。
12. 连续波输出功率111.27 mW的G波段四端口平衡式倍频器(英文):开发了215~230 GHz频段的肖特基变容管倍频器,具有优秀的变频效率和功率容量。
13. 具有圆形P+区的1200V SiC JBS二极管的研究:通过改变碳化硅JBS二极管的P+掺杂区形状,优化了其正向导通特性。
14. 车载网联监控设备的硬件开发:总结了网联设备开发过程中的硬件设计经验,包括电源防反接、防浪涌以及高压保护的设计。
15. 170 GHz高功率二倍频器设计及工艺优化:基于国产肖特基变容二极管,设计了一种170 GHz高功率二倍频器。
16. 由原子薄横向异质结构建的可调谐肖特基二极管(英文):利用一步化学气相沉积技术制备了SnxMo1-xS2/MoS2横向异质结高性能二极管。
17. p-GaN/n-Ga2O3结终端延伸肖特基二极管结构仿真研究:提出采用p-GaN与n-Ga2O3之间形成pn结JTE结构,提升氧化镓肖特基二极管的击穿电压。
18. 准垂直肖特基二极管电极间距对耐压的影响:研究了不同电极间距对准垂直肖特基势垒二极管正反向I-V特性的影响。
19. 垂直超宽禁带肖特基二极管的仿真优化研究:采用Silvaco TCAD仿真软件建立不同结构的SBD模型,研究了二氧化硅埋层对器件耐压特性的影响。
20. 全球氮化镓肖特基二极管专利分析:分析了氮化镓肖特基二极管的专利情况,讨论了其在高频信号电路以及电源设备中的应用。
这些资料涵盖了肖特基二极管的设计、仿真、工艺优化、温度特性研究以及在不同应用中的使用情况,为研究和应用肖特基二极管提供了丰富的信息。