推荐一些关于肖特基二极管开关时间的文献资料

以下是关于肖特基二极管开关时间的一些文献资料推荐：

1. 采用额外的肖特基二极管减少干扰：在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势，包括更高的电压转换效率。然而，同步降压转换器会产生更大的干扰。文章讨论了如何通过采用额外的肖特基二极管来减少这种干扰。

2. 单端反激开关稳压电源设计与制作：文章基于UC3844设计了单端反激开关稳压电源，并配合可调式精密三端稳压器TL431和光耦FL817构成反馈回路，实现了直流电压12V和电流2.5A的输出，具有良好的稳压效果。

3. 开关电源模块设计：文章介绍了一种由内置12位A/D、D/A的高性能、低功耗Cortex-M3芯片组成系统控制单元的开关电源模块设计。主开关管采用IRF540，系统还增加了实时输出功率数据显示等实用功能。

4. 浅谈晶体三极管开关速度的提高：文章介绍了三种提高晶体三极管开关速度的方法，对电路设计具有重要意义。

5. 分立器件：文章介绍了PN整流器PNS40010ER，这款400V、1A器件能够以标准开关时间支持高功率密度，并且采用小型SOD123W FlatPower塑料封装。

6. 电源技术讲座(1) 开关电源的主控元器件：文章讨论了电源技术的重要性，并对开关电源的主控元器件进行了详细讲解。

7. 新结构高压功率集成器件开关速度的研究：文章对一种包含一个功率管和一个快恢复二极管的新结构的集成器件进行了研究，证明了这种新的集成器件在其它参数变化不大的情况下，改善了集成器件的动态特性。

8. 提高硅整流设备效率的途径：文章讨论了采用肖特基功率二极管硅整流元件来提高整流装置效率的方法，指出了正向压降损耗是硅整流元件的主要损耗。

9. 兼容机开关电源的原理与检测：文章介绍了通过肖物基对管Q1、Q2的饱和与截止推动变压器输出所需要的电压，并通过μpc494控制脉宽的方法。

10. 化学沉积法及其制备的肖特基势垒的开关特性：文章确立了一种简单、有效的制备肖特基势垒的方法──化学沉积法，并用这种方法制备出Pd-GaAs，An-GaAs和Pd-GaAs0.41P0.59肖特基势垒。实验发现，所制备的样品具有良好的开关特性，开关时间为10^-11ns量级。

这些文献资料涵盖了肖特基二极管在开关电源设计、开关速度优化、以及相关技术应用等多个方面的研究，为深入理解肖特基二极管的开关特性提供了丰富的信息。