目前国内发射极开关双极晶体管的研究现状如何？

国内在发射极开关双极晶体管（Emitter Switched Bipolar Transistor, ESBT）的研究方面取得了一定的进展。ESBT是一种新型的高速开关器件，具有快速开关特性和较低的导通损耗，适用于高频高功率的应用场景。根据知网搜索结果，国内研究主要集中在以下几个方面：

1. IGBT的智能预测系统：研究了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的工作原理和特性，通过LSTM神经网络对IGBT参数进行预测，以避免器件失效带来的经济损失和安全问题。

2. 超结IGBT器件的优化设计：分析了超结IGBT器件的结构与工作原理，提出了新型结构以改善器件的开关损耗和雪崩及短路鲁棒性。

3. 雷达系统中IGBT的损坏成因及其判定方法：针对CINRAD/SA雷达回扫充电电路中IGBT的损坏问题，分析了故障现象并提出了排查故障的检测要点。

4. CMOS集成温度传感器的设计：利用CMOS工艺下衬底型双极晶体管的温度特性，设计了一种精度较高的温度传感器。

5. 基于多β晶体管的高速开关及其应用：设计了差动式非饱和高速整形开关，并探讨了其在逻辑单元集合中的应用。

6. SiC器件的物理与数值模拟：研究了碳化硅材料参数对器件性能的影响，特别是针对发射极异质双极晶体管的高频性能。

7. 双多晶硅自对准结构双极型晶体管的解析模型：提出了工作于饱和开关特性的解析模型，为理解双极型晶体管的行为提供了理论基础。

8. 可控硅及其应用：探讨了可控硅整流元件的特性和应用，包括其控制性能和在电力系统中的作用。

9. 大规模集成电路的基本原理及发展概况：介绍了电荷耦合器件(CCD)和其他新型半导体器件的发展。

10. 两相等离子体耦合静态移位寄存器：设计了一种新型的等离子体耦合移位寄存器，简化了现有概念并提高了位密度。

这些研究表明，国内在ESBT及相关领域的研究正不断深入，旨在提高器件性能、可靠性和应用范围。随着技术的进一步发展，预计ESBT将在更多领域得到应用。