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SMT安装类型的DFN8_5X6MM封装/外壳的MOSFETs
华秋商城代理的MOSFETs芯片全系列，有SMT安装类型、DFN8_5X6MM封装/外壳芯片，都是华秋商城自营的正品现货MOSFETs芯片。
- 型号：TDM3478MOSFETs
- 品牌：TECHCODE(泰德)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：2.08W
- 编号：G4217154
- 现货库存： 945（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥1.08751 | last |
| 30+ | ￥1.05001 | last |
| 100+ | ￥1.01251 | last |
| 500+ | ￥0.93751 | last |
| 1000+ | ￥0.90000 | last |
| 2000+ | ￥0.87750 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥1.09
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- 型号：TDM3478MOSFETs
- 品牌：TECHCODE(泰德)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：2.08W
- 编号：G4217154
- 现货库存： 20（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 5+ | ￥0.82500 | last |
| 20+ | ￥0.81000 | last |
| 100+ | ￥0.78000 | last |
-+
- 起订：5 倍数：5
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥4.13
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- 型号：TDM3478MOSFETs
- 品牌：TECHCODE(泰德)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：2.08W
- 编号：G4217154
- 现货库存： 945（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥1.08751 | last |
| 30+ | ￥1.05001 | last |
| 100+ | ￥1.01251 | last |
| 500+ | ￥0.93751 | last |
| 1000+ | ￥0.90000 | last |
| 2000+ | ￥0.87750 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥1.09
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- 型号：TDM3478MOSFETs
- 品牌：TECHCODE(泰德)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：2.08W
- 编号：G4217154
- 现货库存： 20（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 5+ | ￥0.82500 | last |
| 20+ | ￥0.81000 | last |
| 100+ | ￥0.78000 | last |
-+
- 起订：5 倍数：5
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥4.13
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- 型号：WSD30L90DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：40W
- 编号：G4694040
- 现货库存： 10（1个工作日内）
- 批次：-
| 1+ | ￥1.52400 | last |
| 10+ | ￥1.40400 | last |
| 30+ | ￥1.38000 | last |
| 100+ | ￥1.30800 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥1.52
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- 型号：WSD60N10GDN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：125W
- 编号：G4694043
- 现货库存： 4888（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥2.81200 | last |
| 30+ | ￥2.71700 | last |
| 100+ | ￥2.52700 | last |
| 500+ | ￥2.33700 | last |
| 1000+ | ￥2.24200 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥2.81
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- 型号：WSD4080DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：85A
- 编号：G4694049
- 现货库存： 954（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥1.68000 | last |
| 10+ | ￥1.52250 | last |
| 30+ | ￥1.41750 | last |
| 100+ | ￥1.26000 | last |
| 500+ | ￥1.18650 | last |
| 1000+ | ￥1.13400 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥1.68
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- 型号：WSD4023DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：32/-22A
- 编号：G4694034
- 现货库存： 1420（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥1.63000 | last |
| 10+ | ￥1.48000 | last |
| 30+ | ￥1.38000 | last |
| 100+ | ￥1.23000 | last |
| 500+ | ￥1.16000 | last |
| 1000+ | ￥1.11000 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥1.63
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- 型号：AONS62604MOSFETs
- 品牌：AOS(美国万代)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N通道AlphaSGT TM VDS=60V VGS=±20V ID=100A DFN5X6
- 编号：G4718050
- 现货库存： 30（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥5.61989 | last |
| 10+ | ￥5.18760 | last |
| 30+ | ￥5.10114 | last |
| 100+ | ￥4.84176 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥5.62
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- 型号：WSD40P10DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：54W
- 编号：G4741564
- 现货库存： 4（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥1.71200 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥1.71
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- 型号：NCEP30T21GUMOSFETs
- 品牌：NCE(无锡新功率)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W
- 编号：G6612449
- 现货库存： 4423（1个工作日内）
- 批次：3年内
| 1+ | ￥4.83800 | last |
| 10+ | ￥4.39550 | last |
| 30+ | ￥4.10050 | last |
| 100+ | ￥3.65800 | last |
| 500+ | ￥3.45150 | last |
| 1000+ | ￥3.30400 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥4.84
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- 型号：AGM40P100AMOSFETs
- 品牌：AGMSEMI(芯控源)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：P沟道 40V 95A 135W(Tc) 4.6mΩ
- 编号：G6663013
- 现货库存： 5（1个工作日内）
- 批次：3年内
| 1+ | ￥1.40400 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥1.40
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- 型号：WSD90P06DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：96W
- 编号：G4694039
- 现货库存： 4509（1个工作日内）
- 批次：2年内
| 1+ | ￥6.40000 | last |
| 10+ | ￥5.80000 | last |
| 30+ | ￥5.40000 | last |
| 100+ | ￥4.80000 | last |
| 500+ | ￥4.52000 | last |
| 1000+ | ￥4.32000 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥6.40
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- 型号：NCE20P70GMOSFETs
- 品牌：NCE(无锡新功率)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：MOSFETs 1个P沟道 耐压:20V 电流:70A DFN8_5X6MM
- 编号：G4237855
- 现货库存： 3125（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥3.10800 | last |
| 10+ | ￥2.89800 | last |
| 50+ | ￥2.58300 | last |
| 150+ | ￥2.37300 | last |
| 300+ | ￥2.22600 | last |
| 500+ | ￥2.16300 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥3.11
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- 型号：ASDM60R042NQ-RMOSFETs
- 品牌：ASDsemi(安森德)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：MOSFETs N-沟道 60V 90A 4.4mΩ@10V 113W DFN8_5X6MM
- 编号：G6658943
- 现货库存： 226（1个工作日内）
- 批次：-
| 1+ | ￥1.94600 | last |
| 30+ | ￥1.87600 | last |
| 100+ | ￥1.73600 | last |
| 500+ | ￥1.59600 | last |
| 1000+ | ￥1.52600 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 4000」
- 金额： ￥1.95
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- 型号：ASDM60R042NQ-RMOSFETs
- 品牌：ASDsemi(安森德)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：MOSFETs N-沟道 60V 90A 4.4mΩ@10V 113W DFN8_5X6MM
- 编号：G6658943
- 现货库存： 1027（1个工作日内）
- 批次：2年内
| 1+ | ￥2.00000 | last |
| 10+ | ￥1.85000 | last |
| 100+ | ￥1.75000 | last |
| 1000+ | ￥1.65000 | last |
| 4000+ | ￥1.58000 | last |
| 2147483647+ | ￥1.20000 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 4000」
- 金额： ￥2.00
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- 型号：TDM3436AMOSFETs
- 品牌：TECHCODE(泰德)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=89A P=22W DFN5X6-8
- 编号：G6544999
- 现货库存： 2600（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 原价 | 折后价 | |
|---|---|---|
| 1+ | ￥2.29976 | |
| 30+ | ￥2.21521 | |
| 100+ | ￥2.04611 | |
| 500+ | ￥1.87701 | |
| 1000+ | ￥1.79246 |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥2.30
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- 型号：AON6354MOSFETs
- 品牌：AOS(美国万代)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：表面贴装型 N 通道 30 V 83A（Tc） 36W（Tc） 8-DFN（5x6）
- 编号：G4705742
- 现货库存： 1368（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 原价 | 折后价 | |
|---|---|---|
| 1+ | ￥0.90314 | |
| 30+ | ￥0.86923 | |
| 100+ | ￥0.80141 | |
| 500+ | ￥0.73360 | |
| 1000+ | ￥0.69969 |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥0.90
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- 型号：AON6484MOSFETs
- 品牌：AOS(美国万代)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：表面贴装型 N 通道 100 V 3.3A（Ta），12A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
- 编号：G0327175
- 现货库存： 30（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 原价 | 折后价 | |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.29016 | |
| 10+ | ￥3.03707 | |
| 30+ | ￥2.98646 | |
| 100+ | ￥2.83460 |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 3000」
- 金额： ￥3.29
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- 型号：WSD6056DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：45A 功率(Pd)：45W
- 编号：G4694041
- 现货库存： 427（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥1.78200 | last |
| 10+ | ￥1.61700 | last |
| 30+ | ￥1.50700 | last |
| 100+ | ￥1.34200 | last |
| 500+ | ￥1.26500 | last |
| 1000+ | ￥1.21000 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥1.78
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- 型号：WSD40120DN56GMOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：125W
- 编号：G4694048
- 现货库存： 3175（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥4.05000 | last |
| 10+ | ￥3.67500 | last |
| 30+ | ￥3.42500 | last |
| 100+ | ￥3.05000 | last |
| 500+ | ￥2.87500 | last |
| 1000+ | ￥2.75000 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥4.05
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- 型号：WSD3067DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W
- 编号：G4694035
- 现货库存： 994（1个工作日内）
- 批次：3年内
| 1+ | ￥1.36080 | last |
| 10+ | ￥1.23480 | last |
| 30+ | ￥1.15080 | last |
| 100+ | ￥1.02480 | last |
| 500+ | ￥0.96600 | last |
| 1000+ | ￥0.92400 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥1.36
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- 型号：WSD3023DN56MOSFETs
- 品牌：WINSOK(微硕)
- 封装：DFN8_5X6MM
- 描述：N-P沟道 漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：14/-14A 功率(Pd)：5.25W
- 编号：G4694037
- 现货库存： 500（1个工作日内）
- 批次：超3年
| 1+ | ￥1.24000 | last |
| 10+ | ￥1.16000 | last |
| 50+ | ￥1.04000 | last |
| 150+ | ￥0.96000 | last |
| 300+ | ￥0.90400 | last |
| 500+ | ￥0.88000 | last |
-+
- 起订：1 倍数：1
- 「卷装(TR) / 5000」
- 金额： ￥1.24
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