MSKSEMI(美森科)品牌的晶体管

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• 型号：2SD882通用三极管
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：TO-252-2(DPAK)
• 描述：
  集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.25W 集电极截止电流(I
• 编号：DS39690842

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• 型号：AO4882-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOP-8_4.9X3.9MM
• 描述：
  2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W
• 编号：ZHLM0021536

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• 型号：WPM2341-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
• 编号：DS0189908

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• 型号：SI2301AI-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  P沟道 VDS=20V ID=3A PD=1W SOT23
• 编号：DS0189916

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• 型号：WPM3407-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  SOT23-3 VDS:30V Id:4.1A
• 编号：DS0189929

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• 型号：FDC5614PMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT23-6
• 描述：
  P沟道 漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流(Id) ：3A SOT23-6
• 编号：DS0189907

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• 型号：SI2309CDS-T1-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.6V;
• 编号：DS39698060

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• 型号：MS50N06MOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：TO-252-2(DPAK)
• 描述：
  类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):900pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):33pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj);
• 编号：DS39687335

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• 型号：2N7002WMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-323-3
• 描述：
• 编号：DS39698726

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• 型号：AO3402MOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT23-3
• 描述：
  MOSFETs N沟道 耐压:30V 电流:4A SOT-23-3L
• 编号：DS39699471

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• 型号：ULN2003达林顿晶体管阵列
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：OP-16_9.9X3.9MM
• 描述：
  七路高耐压大电流达林顿驱动电路
• 编号：DS39660173

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• 型号：AO3400MI-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  N沟道 SOT23 VDS:30V Id:5.8A PD=350mW
• 编号：DS0189932

• 型号：FDV303NMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
• 编号：DS39699405

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• 型号：WPM2015-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：400mW SOT23-3L
• 编号：DS0189909

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• 型号：AO3401MI-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：350mW SOT23-3L
• 编号：DS0189931

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• 型号：2N7002KMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW SOT23
• 编号：DS0189903

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• 型号：AO3415AI-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  P沟道 20V 4A
• 编号：DS0189927

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• 型号：AO3401CI-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  MOSFETs P-Channel SOT23-3 Vds=20V Vgs=±8V Id=3A Pd=350mW
• 编号：DS0189930

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• 型号：5N10-MS综合元器件
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  5N10-MS
• 编号：ZHLM0378322

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• 型号：AO4884-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOP8_150MIL
• 描述：
  2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：2W SOP8_150MIL
• 编号：DS0189925

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• 型号：DTC143ECA-MS带预偏置三极管
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-23
• 描述：
  数字晶体管（NPN）
• 编号：DS0189910

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• 型号：2SK3019-MSMOSFETs
• 品牌：MSKSEMI(美森科)
• 封装：SOT-523-3
• 描述：
  N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW SOT523
• 编号：DS0189911